[发明专利]一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构及其制备方法在审
| 申请号: | 201410646142.5 | 申请日: | 2014-11-14 | 
| 公开(公告)号: | CN104681691A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 | 
| 发明(设计)人: | 杨人毅;赵明燕;刘剑阳;石建青;田丽花;霍文旭 | 申请(专利权)人: | 易美芯光(北京)科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L25/075;H01L33/64 | 
| 代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 | 
| 地址: | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低光衰 封装 led 集成 光源 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构,所述结构包括预制基板和覆晶,所述覆晶通过回流焊焊接到预制基板上,
其中,所述预制基板包括氮化铝陶瓷层,所述氮化铝陶瓷层上的敷铜线路层、耐高温反射层、电极焊盘;
回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银,或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀金、镀银或预敷焊锡,以及导线表面镀银或无镀层。
3.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述焊锡成分为AuSn(80/20),或SAC305,或SAC405,或SN100C。
4.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨,耐高温阻焊油墨,或耐高温白色硅胶。
5.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述铜层为双层结构,厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘,薄铜层为连接焊盘的导线,其表面可镀银或无镀层。
6.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述光源结构应用于不同功率、不同串并联电路、不同尺寸大小的覆晶集成光源。
7.一种如权利要求1至6任一项所述的低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构的制备方法,所述方法包括如下步骤:
(1)形成所述预制基板,具体包括:
(1a)通过现有的厚膜印刷技术,或薄膜直接镀铜技术,完成氮化铝陶瓷上布置敷铜线路层,敷铜层有薄铜层和厚铜层;
(1b)制作集成光源发光区耐高温反射层,材料一般为耐高温白色陶瓷 油墨,耐高温阻焊油墨,或耐高温白色硅胶,通过平整处理技术,填充覆盖敷铜线路层周边区域,并保持反射层和敷铜层高度一致;
(1c)通过曝光显影和蚀刻技术,完成其余区域的阻焊层,材质也为白色阻焊层油墨;
(1d)露铜层表面(即厚铜层)进行化学沉银,对应于有预敷焊锡的覆晶应用;
(2)覆晶放置和布满在所述预制基板的芯片焊盘上;
(3)共晶回流焊把阵列覆晶,焊接到预制基板上;
(4)硅胶围坝胶制作;
(5)覆盖荧光粉硅胶层。
8.一种如权利要求4所述的低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构的制备方法,所述方法包括如下步骤:
(1)形成所述预制基板,具体包括:
(1a)通过现有的厚膜印刷技术,或薄膜直接镀铜技术技术,完成氮化铝陶瓷上布置敷铜线路层,敷铜层有薄铜层和厚铜层;
(1b)制作集成光源发光区耐高温反射层,材料一般为耐高温白色陶瓷油墨,或耐高温阻焊油墨,或耐高温白色硅胶,通过平整处理技术,填充覆盖敷铜线路层周边区域,并保持反射层和敷铜层高度一致;
(1c)通过曝光显影和蚀刻技术,完成其余区域的阻焊层,材质也为白色阻焊层油墨;
(1d)露铜层表面(即厚铜层)进行敷锡,对应于有镀金电极的覆晶应用;
(2)覆晶放置和布满在所述预制基板的芯片焊盘上;
(3)共晶回流焊把阵列覆晶,焊接到预制基板上;
(4)硅胶围坝胶制作;
(5)覆盖荧光粉硅胶层。
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