[发明专利]一种气体传感器芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201410644793.0 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104391037A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 禹胜林 | 申请（专利权）人： | 无锡信大气象传感网科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 气体 传感器 芯片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种气体传感器芯片的制造方法：其特征在于，包括以下步骤：
在第一层压电基片上开设参比气体通道；
在第二层压电基片上涂覆气体敏感膜；
在第四层压电基片的表面蒸镀牺牲层，并将所述牺牲层刻成需要的图形；在渡有牺牲层的基板表面依次蒸镀Ti过渡层和Au功能膜层；将牺牲层上方的Ti过渡层和Au功能膜层去掉；利用湿法腐蚀或等离子刻蚀将铝牺牲层去掉；经过步骤4）后，形成所述声表面波传感器芯片的金膜叉指图形和成膜区；在成膜区生长敏感膜层；
将参比电极设置在第一层压电基片和第二层压电基片之间，将加热电极设置在第二层压电基片和第三层压电基片之间；
将第一层压电基片至第四层压电基片顺次叠压在一起。
2.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，在压电基片上蒸镀牺牲层之前，首先在压电基片上蒸镀Cr过渡层，然后在Cr过渡层上蒸镀牺牲层。
3.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述牺牲层是铝牺牲层。
4.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度是200-300纳米。
5.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，采用超声玻璃技术将牺牲层上方的Ti过渡层和Au功能膜层去掉。
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