[发明专利]传感器半导体芯片用铜合金材料有效
| 申请号： | 201410643345.9 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104451246A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 禹胜林 | 申请（专利权）人： | 无锡信大气象传感网科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/04 | 分类号： | C22C9/04;H01B1/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡市无锡国家高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 半导体 芯片 铜合金 材料 | ||
1.传感器半导体芯片用铜合金材料，主要包括铜元素，还包括镍、镉和锌，其特征是还包括若干种贵金属元素和若干种稀土金属元素，所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为：
镍0.2%~0.6%，镉0.1%~0.3%，锌1.1%~2.2%，贵金属元素0.02%~0.05%，稀土金属元素0.03%~0.04%。
2.根据权利要求1所述的传感器半导体芯片用铜合金材料，其特征是所述贵金属元素选自铑、银或铂中的一种或者任意种组合。
3.根据权利要求1所述的传感器半导体芯片用铜合金材料，其特征是所述稀土金属元素选自镨、钕或铈中的一种或者任意种组合。
4.根据权利要求2所述的传感器半导体芯片用铜合金材料，其特征是所述贵金属元素包括铑、银和铂，铑、银和铂在贵金属元素中所占的重量比例为0.5: 0.8：1~1.5。
5.根据权利要求3所述的传感器半导体芯片用铜合金材料，其特征是所述稀土金属元素包括镨、钕和铈，镨、钕和铈在稀土金属元素中所占的重量比例为1:1:3~4。
6.根据权利要求1-5中任一所述的传感器半导体芯片用铜合金材料，其特征是所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为：
镍0.3%~0.5%，镉0.15%~0.25%，锌1.5%~1.9%，贵金属元素0.03%~0.04%，稀土金属元素0.032%~0.038%。
7.根据权利要求1-5中任一所述的传感器半导体芯片用铜合金材料，其特征是所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为：
镍0.4%，镉0.2%，锌1.7%，贵金属元素0.035%，稀土金属元素0.035%。
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