[发明专利]涂覆显影装置和涂覆显影方法有效
| 申请号: | 201410641400.0 | 申请日: | 2011-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN104465460B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
| 发明(设计)人: | 松冈伸明;宫田亮;林伸一;榎木田卓;富田浩;早川诚;吉田达平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显影 装置 方法 | ||
本申请是2011年7月11日提出的申请号为201110198010.7的分案申请。
技术领域
本发明涉及在基板上涂覆抗蚀剂,进行显影的涂覆显影装置、涂覆显影方法和存储介质。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的光致抗蚀剂工序中,在半导体晶片(以下,称为晶片)的表面涂覆抗蚀剂,以规定图案曝光该抗蚀剂之后进行显影,形成抗蚀剂图案。在形成上述抗蚀剂图案用的涂覆显影装置中,设置有具备在晶片上进行各种处理用的处理模块的处理块。
处理块,例如专利文献1所记载,通过将形成抗蚀剂膜等的各种涂覆膜的单位块和进行显影处理的单位块相互叠层构成。晶片依次被交接到各单位块上设置的处理模块接收处理。
在此,由于形成更细微的图案,进而使成品率降低,因而设置在上述处理块的处理模块需要多样化。例如,在晶片上涂覆抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之外,还存在设置有对涂覆有抗蚀剂的晶片的背面进行清洁的背面清洁模块、向抗蚀剂膜的上层供给药液进一步形成膜的上层用的液处理块等的情况。研究在将这些各种处理模块搭载于处理块的基础上,如何抑制涂覆显影装置的占地面积。
上述叠层单位块的结构,用于抑制上述占地面积很有效,但是由于晶片依次向各单位块搬送,因此1个处理模块或单位块发生异常而进行维修时,就不得不停止涂覆显影装置的整个处理。如此,会有装置的工作效率降低的问题。
专利文献
【专利文献1】特开2007-115831
发明内容
本发明是在上述事实下完成的,其提供一种能够抑制处理块的设置面积,并且在单位块发生异常而进行维修时,能够抑制涂覆显影装置的工作效率降低的技术。
本发明的涂覆显影装置,将通过载体搬入到载体块的基板交接到处理块,在该处理块形成包括抗蚀剂膜的涂覆膜之后,通过相对于上述处理块位于与载体块相反侧(即:上述处理块位于上述接口块与上述载体块之间)的接口块搬送到曝光装置,在上述处理块对通过上述接口块返回的曝光后的基板进行显影处理,并交接到上述载体块,该涂覆显影装置的特征在于,具备:
a)上述处理块,其包括:
将前段(前级)涂覆用的单位块作为第一前段涂覆用单位块和第二前段涂覆用单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件,上述前段涂覆用的单位块具备:向基板供给药液,形成曝光处理所必要的薄膜中的前段薄膜的液处理模块;对基板进行加热的加热模块;和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构;
将后段(后级)涂覆用的单位块作为第一后段涂覆用单位块和第二后段涂覆用单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件,该后段涂覆用的单位块具备:相对于上述前段涂覆用单位块叠层、向曝光处理所必要的薄膜中的上述前段薄膜上供给药液而形成后段薄膜的液处理模块;对基板进行加热的加热模块;和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构;和
将显影处理用单位块作为第一显影处理用的单位块和第二显影处理用的单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件,该显影处理用的单位块具备:相对于上述前段涂覆用单位块叠层、向基板供给显影液的液处理模块;对基板进行加热的加热模块;和在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构,
b)上述前段薄膜和后段薄膜的一方为包括抗蚀剂膜的薄膜,
c)针对(按照)各单位块的每个设置于载体块一侧的、在与各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的交接部,
d)第一交接机构,其用于将基板从载体分配、交接到与前段涂覆用的各单位块对应的上述交接部,并且使基板从显影处理用的各单位块的交接部返回载体,并且将通过前段涂覆用的各单位块处理过的基板交接到与后段涂覆用的各单位块对应的上述交接部,
e)第二交接机构,其用于接收在上述处理块处理过的曝光前的基板,并将曝光后的基板分配、交接到显影处理用的单位块,
f)对显影处理后的基板进行检查的显影后检查模块,
g)存储直到检查对象的基板在上述检查模块接收检查为止,上述检查对象的基板被搬送的路径的数据的存储部,以及
h)模式选择部,其用于在利用上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时,基于在存储部存储的数据,从包括模式M1和模式M2的显影后异常应对用的模式组中选择后续的基板的搬送模式,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





