[发明专利]半导体封装体及封装方法

说明书

本发明涉及半导体封装体及封装方法。一种半导体封装体包括：晶片，其一主表面设置有焊垫阵列；无芯片座的导线阵列，其第一主表面通过倒装封装的方式与所述焊垫阵列通过金球和焊料连接，与所述第一主表面相反的第二主表面上设置有与所述焊垫阵列中的焊垫对应的扇出焊盘的阵列；封装胶体，其包覆所述晶片和导线阵列并暴露出所述扇出焊盘的阵列；其中，所述扇出焊盘的阵列的尺寸和焊盘间距比所述晶片的焊垫阵列尺寸和焊垫间距更大。该半导体封装体可以具有与传统WLCSP技术得到的封装体同样的外观，呈现为无引脚封装，而实际使用的晶片的面积却小得多，从而充分利用了现有IC晶圆的工艺能力，使得一片晶圆的晶片产出数量大为增加。

技术领域

本发明大体上涉及半导体晶片封装技术。

背景技术

晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原晶片20％的平面面积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行大部分封装工艺，最终形成的集成电路(Integrated Circuit，IC)颗粒，因此封装后的平面面积稍大于晶片的原尺寸。

然而，传统的晶圆片级芯片规模封装技术需要经由若干层导线层将晶片的连接垫扇出到封装体表面，导线层在封装体中占据了大部分体积、且成本不菲。

发明内容

现有的半导体封装技术仍有待进一步改进。

在本发明的一个实施例中，揭示了一种半导体封装体，该半导体封装体包括：晶片，其一主表面设置有焊垫阵列；无芯片座的导线阵列，其第一主表面通过倒装封装的方式与所述焊垫阵列通过金球和焊料连接，与所述第一主表面相反的第二主表面上设置有与所述焊垫阵列中的焊垫对应的扇出焊盘的阵列；封装胶体，其包覆所述晶片和导线阵列并暴露出所述扇出焊盘的阵列；其中，所述扇出焊盘的阵列的尺寸和焊盘间距比所述晶片的焊垫阵列尺寸和焊垫间距更大。

在上述半导体封装体的一个具体实施例中，所述导线阵列包括多个导线单元，所述多个导线单元呈现由中心向四周发散状的排列。

在上述半导体封装体的一个具体实施例中，所述导线阵列包括至少一个与所述晶片的多个焊垫相连接的导线单元。

在上述半导体封装体的一个具体实施例中，所述至少一个导线单元与所述晶片的至少一个中心焊垫及其至少一个相邻的边缘焊垫相连接。

在上述半导体封装体的一个具体实施例中，所述金球具有一球体部及一颈部。更具体地，所述焊料至少包覆所述金球的颈部。

在本发明的另一个实施例中，揭示了一种半导体封装方法，该方法包括：提供晶片，所述晶片的一主表面设置有焊垫阵列；为所述晶片的焊垫阵列植上用于焊接的金球；提供导线框架，其每一个网格中包括一无芯片座的导线阵列，所述导线阵列包括第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面，所述第二主表面上设置有与所述焊垫阵列中的焊垫对应的扇出焊盘的阵列，所述扇出焊盘的阵列的尺寸和焊盘间距比所述晶片的焊垫阵列尺寸和焊垫间距更大；在所述导线阵列的所述第一主表面上印刷与所述金球对应的焊料块；将所述晶片倒装焊接于所述导线阵列；灌胶封装所述晶片和导线阵列，并暴露出所述扇出焊盘的阵列；切单。

在上述方法的一个具体实施例中，在将所述晶片倒装焊接于所述导线阵列的步骤之前还包括磨薄所述晶片的步骤。

在上述方法的一个具体实施例中，在所述切单步骤之前还包括为所述扇出焊盘植上用于焊接的金球。

在上述方法的一个具体实施例中，所述导线阵列包括多个导线单元，所述多个导线单元呈现由中心向四周发散状的排列。

在上述方法的一个具体实施例中，所述导线阵列包括至少一个与所述晶片的多个焊垫相连接的导线单元。