[发明专利]一种气体传感器的制备方法无效
申请号: | 201410636812.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104391006A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 禹胜林 | 申请(专利权)人: | 无锡信大气象传感网科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 传感器 制备 方法 | ||
1.一种气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜;
步骤二、用短链配体溶液处理量子点薄膜 ;
步骤三、去除残余的短链配体及其副产物 ;
步骤四、多次重复执行步骤一至步骤三,得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜;
步骤五、在半导体胶态量子点薄膜上镀上一层无序型金属膜系,最后在金属膜系上镀上点电极;
步骤六、在半导体胶态量子点薄膜上方设置紫外灯;
步骤七、将上述结构置于设有通气孔的传感器壳体内。
2.一种气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将半导体胶态量子点溶液涂覆在绝缘衬底上,使其均匀成膜 ;
步骤二、用短链配体溶液处理量子点薄膜 ;
步骤三、去除残余的短链配体及其副产物 ;
步骤四、多次重复执行步骤一至步骤三,得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜;
步骤五、在步骤四得到的半导体胶态量子点薄膜上制备电极;
步骤六、在半导体胶态量子点薄膜上镀上一层无序型金属膜系,最后在金属膜系上镀上点电极;
步骤七、在半导体胶态量子点薄膜上方设置紫外灯;
步骤八、将上述结构置于设有通气孔的传感器壳体内。
3.如权利要求1或2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述半导体胶态量子
点溶液为 PbS胶态量子点溶液或 SnO2胶态量子点溶液。
4.如权利要求3所述的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述绝缘衬底为纸、塑料、陶瓷、硅片或玻璃。
5.如权利要求4所述的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述短链配体溶液为NH4Cl、NaNO2 或 Pb(NO3)2 溶液。
6.如权利要求1或2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述金属膜系为 Pt、Au、Pd、Cu、Cr、Ni中任一种。
7.如权利要求1或2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述点电极材料为Ag 或 Ti。
8.如权利要求1或2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述紫外灯的功率为10~50mW。
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