[发明专利]离子接地极的接地模拟方法

权利要求书

1.一种离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，包括：

根据离子接地极的离子材料和离子接地极所要放置的区域的自然土壤电阻率建立离子接地极扩散模型；

根据建立的所述离子接地极扩散模型，以及拟采用的离子接地极的数量和相应放置位置在软件分析工具中进行模拟和计算，从而得到离子接地极接地后的降阻效果。

2.如权利要求1所述的离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，所述根据离子接地极的离子材料和离子接地极所要放置的区域的自然土壤电阻率建立离子接地极扩散模型，具体包括：

根据离子接地极的离子材料和离子接地极所要放置的区域的自然土壤电阻率，建立包括离子接地极本体层、第一扩散层和第二扩散层的离子接地极扩散模型。

3.如权利要求1所述的离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，所述根据建立的所述离子接地极扩散模型，以及拟采用的离子接地极的数量和相应放置位置在软件分析工具中进行模拟和计算，从而得到离子接地极接地后的降阻效果，具体包括：

根据建立的所述离子接地极扩散模型，以及拟采用的离子接地极的数量和相应放置位置，将离子接地极按照常规带覆盖层的接地导体的方式在软件分析工具中进行模拟和计算，从得到离子接地极接地后土壤的电阻率。

4.如权利要求2所述的离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，所述离子接地极扩散模型中的接地极本体层的半径为当前离子接地极的半径，所述接地极本体层区域内的电阻率由当前离子接地极的离子材料确定。

5.如权利要求2所述的离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，所述离子接地极扩散模型中的第一扩散层的半径为当前离子接地极本体半径的5～10倍，所述第一扩散层区域内的电阻率为所述然土壤电阻率的40％～60％。

6.如权利要求2所述的离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，所述离子接地极扩散模型中的第二扩散层的半径为当前离子接地极本体半径的20～30倍，所述第二扩散层区域内的电阻率为所述然土壤电阻率的70％～80％。

7.如权利要求1或3所述的离子接地极的接地模拟方法，其特征在于，所述软件分析工具为CDEGS软件或ANASYS软件。