[发明专利]电感耦合型等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工设备，特别涉及一种电感耦合型等离子体处理装置。

背景技术

当前，电感耦合型等离子体处理装置作为在半导体晶片上执行成膜、刻蚀等多种工艺的装置，广泛应用于半导体器件制造的技术领域中。图1示出现有技术的一种电感耦合型等离子体处理装置的结构示意图，真空处理腔室10底部设有承载待处理基片的基座11，真空处理腔室10顶部具有绝缘盖板12。绝缘盖板12上垂直设置与处理腔室10连通的绝缘套筒13，工艺气体可从绝缘套筒顶部输入工艺腔室10。绝缘套筒13外侧缠绕上电感耦合线圈14，电感线圈14通过匹配器与射频源连接。射频源向电感耦合线圈14提供射频交变电流在绝缘套筒13内产生一个交变的感应磁场，将工艺气体激发形成等离子体。

然而，这些等离子体轰击绝缘套筒13内壁往往会产生大量的热量，对等离子体处理工艺产生负面效果。具体来说，一方面高温的等离子体进入处理腔室不利于与待处理基片的反应。例如，在进行去光刻胶工艺时，如果等离子体温度超过120°时，会造成基片表面的光刻胶烧焦、变色等损伤，进而影响后续图案转移等工艺步骤的进行，造成半导体器件制造的产品良率降低。另一方面，绝缘套筒13在高温下也容易损坏，导致使用寿命的缩短，增加了工艺成本。

因此，需要提供一种能够避免等离子体温度过高的等离子体处理装置以改善上述缺陷。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的缺陷，以有效降低等离子体的温度，避免对等离子体处理装置的部件及等离子体处理工艺造成损害。

为达成上述目的，本发明提供一种电感耦合型等离子体处理装置，包括：反应腔室，所述反应腔室顶部具有绝缘盖板，所述绝缘盖板具有一开口；垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒；卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈，所述第一电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方激发为等离子体；以及设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件，其与所述等离子体接触的部分具有抗等离子体涂层，所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体。

优选的，所述第一冷却元件为一冷却筒，其中嵌设有流通所述冷却介质的冷却通道，所述冷却通道的进口和出口均位于所述绝缘套筒外部。

优选的，所述冷却通道在所述冷却筒中弯折一次或多次。

优选的，所述冷却元件一端固定于所述绝缘套筒的顶部，所述冷却通道的进口和出口均从所述冷却元件的固定端伸出所述绝缘套筒的顶部。

优选的，所述工艺气体通过所述绝缘套筒的顶部边缘处引入所述反应腔室。

优选的，所述工艺气体通过位于所述反应腔室侧壁顶部的气体输入口引入所述反应腔室。

优选的，所述绝缘盖板上设置嵌套于所述第一电感耦合线圈之外的第二电感耦合线圈，所述第二电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘盖板下方激发为等离子体。

优选的，所述电感耦合型等离子体处理装置还包括第二冷却元件，所述第二冷却元件包括设置于所述绝缘套筒上方的风扇以及从所述风扇向下延伸并容纳所述绝缘套筒的风扇外罩，所述风扇外罩底部与所述绝缘盖板顶面具有间隔，所述风扇从所述绝缘套筒顶部吹入气体，用于冷却所述绝缘套筒及所述绝缘盖板。

优选的，所述风扇外罩内设置导流叶片，所述导流叶片形成引导由所述风扇吹出的气体流动的导流路径，使所述气体沿所述导流路径流动以增加与所述绝缘套筒的接触。

优选的，所述第一冷却元件包括金属主体部及位于所述金属主体部外表面、与所述等离子体接触的抗等离子体涂层。

优选的，所述绝缘套筒材料为陶瓷介电材料或石英材料。

本发明的有益效果在于通过在反应腔室上部缠绕有电感线圈的绝缘套筒中设置第一冷却元件，对绝缘套筒中的等离子体以及绝缘套筒本身予以降温，从而防止等离子体在工艺过程中对光刻胶的损伤，提高绝缘套筒的使用寿命。

附图说明

图1为现有技术中等离子体处理装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例的等离子体处理装置的结构示意图；

图3为本发明一实施例的等离子体处理装置的第一冷却元件的结构示意图；

图4为本发明另一实施例的等离子体处理装置的结构示意图；

图5为本发明另一实施例的等离子体处理装置的结构示意图。

具体实施方式