[发明专利]在晶圆测试中确认探针卡接触性的测试方法有效
申请号: | 201410628266.0 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN104407264B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 谢晋春;辛吉升 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 高月红 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 确认 探针 接触 方法 | ||
1.一种在晶圆测试中确认探针卡接触性的测试方法,其特征在于,包括步骤:
1)在利用测试程序进行晶圆测试之前,通过测试仪的测试程序先调用检查探针卡接触性的自动确认子程序;自动确认子程序属于测试程序的一部分;
2)在检查探针卡接触性的自动确认子程序中,设定好OD量的变化范围和OD量的每次变化量;
3)设置检查每个焊盘接触性是否良好的规格;
4)确认扎针区域后,通过测试仪控制探针台移动到扎针区域;
5)通过测试仪控制探针台OD量从小到大变化,每次变化后,进行自动扎针测试,得到每个探针的接触性结果;
6)对每次的测试结果进行分析:当扫描到刚好得到所有探针接触性均通过,记录下OD量值并记为A,设定晶圆测试的OD量值B=A+offset值C,按照OD量值B的OD量,启动晶圆测试;其中,Offset值C在5μm~20μm之间;
如果OD量增加到最大值时,仍有探针接触测试不通过,需要取下探针卡进行确认,检查探针卡、探针是否存在异常情况。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中,OD量的最大值根据探针卡设计及在测试中的要求来确定;
OD量的最小值设定在-30μm~30μm的范围内;
OD量的每次变化量根据需要设定。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:所述OD量的最大值不超过100μm;
OD量的最小值为-15μm;
OD量的每次变化量在5μm~10μm之间。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤3)中,规格是根据晶圆产品的电路特性指标进行定义。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于:所述晶圆产品的电路特性指标为加电流测试电压,则规格在200mV~1200mV或者-1200mV~-200mV,加的电流值为100μA。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤4)中,扎针区域为选择保证所有探针能够有效接触到有效晶粒的区域。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤6)的分析中,当OD量为最小值时,能够通过接触性测试的探针数量应最少;增加OD量不断测试后,能够通过接触性测试的探针数量不断增加。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤6)中,Offset值C为10μm。
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