[发明专利]一种用于OLED显示器的玻璃料密封装置及其制备方法在审
申请号: | 201410623657.3 | 申请日: | 2014-11-07 |
公开(公告)号: | CN105633296A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 刘建立;李露露 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 oled 显示器 玻璃 密封 装置 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件的密封领域,具体是一种有机电 致发光器件玻璃料密封装置,本发明还涉及该用于OLED显示器的玻璃料 密封装置的制备方法。
背景技术
作为新一代的显示器件,有机发光显示器即OLED器件有着传统显示 器不可比拟的优势,如自发光、不需要背光源、可实现超薄显示和柔性 显示、驱动电压低、省电、反应速度快等等。但是OLED器件对氧气和湿 气非常敏感,受到氧气和湿气侵袭会性能劣化最终失效。因此封装工艺 对OLED器件寿命的影响很大。目前采用的玻璃料封装方法封装OLED器 件被广泛使用。现有的玻璃料封装方法如图1所示,在封装盖板302的 周缘设置玻璃料密封框303,玻璃料密封框303贴合封装盖板302和OLED 基板301,其中玻璃料密封框303与封装盖板302直接接触,与OLED基 板301之间通常会有保护膜层305,例如SiOx、SiNx,激光固化玻璃料 密封框303完成封装。OLED器件304密封在封装盖板302、OLED基板301 和玻璃料密封框303形成的密闭空间内。这种结构的封装方法,由于通 常采用的封装盖板302表面具有纳米级甚至更优的平滑表面,玻璃料密 封框303的表面为微米级粒径,二者之间具有不匹配的接触面,有效接 触面积低。激光熔封玻璃料密封框303后,其与封装盖板302之间的粘 结力达不到预期效果,外力冲击力下会导致玻璃料与封装盖板303出现 裂缝、剥离等现象,造成封装失效。
为了解决上述问题,现有技术中提出了一种封装方法,如图2所示, 图中307为填充材料(seal材料),303为玻璃料密封框。在cell切割 (屏体切割)后,在玻璃料密封框303外周设置填充材料307并使其固 化,增强玻璃料外侧横向粘着力,起到补强效果。但是玻璃料密封框303 与封装盖板302之间的接触面积并没有得到改善,外力冲击力下玻璃料 与封装盖板302仍然会出现裂缝、剥离等现象,最终造成封装失效。
CN102255056A公开了一种增强玻璃料密封OLED器件的密封性能的 密封方法,其是在玻璃封装体第一玻璃基板边缘印刷沉积玻璃料前刻蚀 一道或多道沟槽或腐蚀槽,然后在沟槽上印刷玻璃料,并采用激光封装方 法将第一玻璃基板与第二玻璃基板键合。上述方案是在封装盖板玻璃料 预定印刷区域表面刻蚀一道或多道沟槽或腐蚀槽,增大玻璃料与盖板玻 璃的接触面积。其采用的刻蚀方法成本高,盖板玻璃强度降低,玻璃料 的沉积工艺难以实现。
ZL201320093028公开了一种封装盖板与基板之间粘贴效果好的 OLED显示器及其专用封装盖板。本实用新型的OLED显示器,包括基板、 位于基板上的OLED器件以及该OLED器件的封装盖板,所述封装盖板上 与基板进行粘贴的贴装面具有经表面粗糙度增大处理所形成的凹凸结构。 由于在贴装面进行了表面粗糙度增大处理,因此增大了封装盖板与基板 之间的粘贴面积,从而提高粘贴强度,有效改善了封装盖板与基板之间 粘贴效果。该实用新型阐述的结构采用粘结剂粘合的方法及其形成的结 构,为公知的一种传统封装技术,封装盖板开槽,槽内放置干燥剂。刻 蚀形成凹凸图案的方法成本高,盖板玻璃强度降低;粘结剂一般为有机 物,其水氧阻隔能力差,封装效果及寿命差;只能用于低端的底发射型 OLED器件。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于现有的玻璃料密封框与封装盖板之 间出现裂缝、剥离等问题,从而提供一种用于OLED显示器的玻璃料密封 装置,该密封装置极大的提高了玻璃料与玻璃基板的接合强度,增强了 抗横向冲击力,有效防止出现裂缝、剥离等现象,从而实现较高的密封 可靠性和机械可靠性。
为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种用于OLED显示器的玻璃料密封装置,包括基板和封装盖板,所 述基板与所述封装盖板通过玻璃料密封框密封连接,所述封装盖板与所 述基板形成的密闭空间内容纳OLED器件,所述玻璃料密封框与所述封装 盖板之间设置有缓冲层,所述缓冲层与所述玻璃料密封框相接触的一面 具有凹凸结构。
所述缓冲层为SiOx、SiNx、AlOχ中的一种或其组合。
所述缓冲层具有多层凹凸结构,优选具有1-2层凹凸结构。
所述缓冲层的厚度h为0<h≤0.2um,宽度为300um-1000um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择