[发明专利]硅基光调制器有效
| 申请号： | 201410620813.0 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105629522B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 甘甫烷;汪敬;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 226017 江苏省南通市苏通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 轻掺杂区 凸条 光调制器 脊型波导 平板部 硅基 掺杂类型 调制效率 对准误差 方向延伸 背对背 耗尽区 离子 中和 延伸 | ||
1.一种硅基光调制器，其特征在于，所述硅基光调制器至少包括：
脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；
所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；
所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反；
所述平板部中还包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三轻掺杂区；
其中，所述第一重掺杂区分别形成于所述第二轻掺杂区的两外侧，其中一所述第一重掺杂区的外侧形成有所述第二重掺杂区；
所述第三轻掺杂区为至少一个并排的长条型区域，每一所述第三轻掺杂区的一端连接所述第一轻掺杂区，另一端连接所述第二重掺杂区；
所述第一重掺杂区与所述第二轻掺杂区的掺杂类型相同；所述第二重掺杂区的掺杂类型、第三轻掺杂区和所述第一轻掺杂区的掺杂类型相同；
所述第一重掺杂区和第二重掺杂区中还形成有通孔，所述通孔中填充有金属电极，处于第一重掺杂区中的金属电极连接在一起，处于第二重掺杂区的金属电极连接在一起。
2.根据权利要求1所述的硅基光调制器，其特征在于：所述第一轻掺杂区的宽度为100nm～250nm。
3.根据权利要求1所述的硅基光调制器，其特征在于：所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区以与所述凸条的延伸方向平行的所述凸条的中线成轴对称。
4.根据权利要求1所述的硅基光调制器，其特征在于：所述脊型波导中，所述平板部的高度为50nm～200nm，所述凸条的高度为220nm～340nm，所述凸条的宽度为300nm～700nm。
5.根据权利要求4所述的硅基光调制器，其特征在于：每两相邻的所述第三轻掺杂区之间形成有一金属电极。
6.根据权利要求4所述的硅基光调制器，其特征在于：所述第一重掺杂区与所述凸条相对的两边界的间距为1μm～2μm。
7.根据权利要求4所述的硅基光调制器，其特征在于：与所述第二重掺杂区紧邻的所述第一重掺杂区的宽度为1μm～10μm，另一所述第一重掺杂区的宽度为1μm～50μm，所述第二重掺杂区的宽度为1μm～50μm。
8.根据权利要求4所述的硅基光调制器，其特征在于：所述第一轻掺杂区的掺杂类型为P型。
9.根据权利要求4或8中任一项所述的硅基光调制器，其特征在于：所述第一轻掺杂区中掺杂浓度为1×1017cm-3至5×1018cm-3，所述第二轻掺杂区中掺杂浓度为1×1017cm-3至5×1018cm-3，所述第一重掺杂区中掺杂浓度为1×1019cm-3至5×1020cm-3，所述第二重掺杂区中掺杂浓度为1×1019cm-3至5×1020cm-3。
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