[发明专利]钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法

权利要求书

1.钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤(1)：铜铟镓硒薄膜硒化后置于电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡1～2min，去除表面颗粒杂质，高纯氮气吹干；

步骤(2)：配制处理溶液，所述处理溶液为0.001～1M/L乙基紫精二高氯酸盐、0.001～1M/L六氟磷酸四丁胺和有机溶剂的混合溶液，所述有机溶剂选自乙腈或甲基紫精的任一种；

步骤(3)：将步骤(1)处理后的铜铟镓硒薄膜放入步骤(2)制得的处理溶液中，施加电信号，1～300s后取出，用无水乙醇冲洗所述铜铟镓硒薄膜表面的残留溶液，所述电信号为循环伏安电信号、恒压电信号或恒流电信号的任一种。

2.根据权利要求1所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述乙基紫精二高氯酸盐选自乙基紫精二高氯酸钾、乙基紫精二高氯酸钠、乙基紫精二高氯酸锌、乙基紫精二高氯酸镁或乙基紫精二高氯酸铜的任一种或一种以上的混合物。

3.根据权利要求1所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述乙基紫精二高氯酸盐的浓度为0.1～0.5M/L。

4.根据权利要求1所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述六氟磷酸四丁胺的浓度为0.1～0.4M/L。

5.根据权利要求1所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，步骤(3)中，工作温度为18℃～25℃。

6.根据权利要求1～5任一项所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述电信号选自以下电信号的任一种：

A.所述电信号为循环伏安电信号，所述循环伏安电信号的电压范围为-2～2V；

B.所述电信号为恒压电信号，所述恒压电信号的电压范围为0.01～6V；

C.所述电信号为恒流电信号，所述恒流电信号的电流范围为0.1～1500mA/cm²。

7.根据权利要求6所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述循环伏安电信号的电压范围为-0.3～0.5V。

8.根据权利要求1所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述铜铟镓硒薄膜的基底选自钠钙玻璃、聚酰亚胺、不锈钢、钼箔片、铝箔片、铜箔片或钛箔片的任一种。

9.根据权利要求1所述的钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，所述电化学工作站的工作模式为三电极体系，包括工作电极、参比电极和铂网电极，所述参比电极为Pt电极，所述参比电极的电势相对标准氢电势为-0.72V。