[发明专利]原位还原金纳米晶核剂诱导的松树形氧化锌催化剂有效

专利信息
申请号: 201410618196.0 申请日: 2014-11-06
公开(公告)号: CN104289221A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 黄绵丽;刘平;付贤智;冯文辉;王振锋;卢美良;方志斌 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: B01J23/66 分类号: B01J23/66;C02F1/28;C02F1/32;C02F1/72;C02F103/30
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 原位 还原 纳米 晶核 诱导 松树 氧化锌 催化剂
【说明书】:

技术领域

本发明属于光催化剂制备及废水治理领域,具体涉及一种原位还原金纳米晶核剂诱导,具有高效吸附和光催化性能的松树形Au修饰氧化锌催化剂的制备方法及其应用于高效去除废水中的As(III) 和阴离子型染料。

背景技术

ZnO作为一种重要的光催化剂,引起了研究者们极大的兴趣。迄今为止,研究者们已经开发了各种有效的纳米晶体生长方法来调控ZnO的形貌。主要包括气相合成法:气液固法、化学气相沉积法、热蒸发法和液相合成法。其中,液相合成法中的晶种调节法,可以通过调控成核晶种的晶相来控制纳米晶体的形状,越来越受到人们关注。

近年来,在半导体表面负载金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)等贵金属已经引起了众多研究者的兴趣。贵金属/ZnO复合材料可以降低光生电子-空穴对的复合率,有利于光催化活性的提高。例如专利CN 102965622A公开了一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法,该发明先在耐高温衬底上生长一层SnO2或ZnO敏感膜,然后在该SnO2或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt,最后在退火炉里退火得到表面掺杂Au或Pt纳米晶的SnO2或ZnO敏感膜。专利CN102644100B公开了一种金修饰的棒-针状纳米氧化锌阵列及其制备方法。该发明采用的是电沉积法,在硅片衬底上制得晶化了的纳米氧化锌棒阵列,再在表面蒸镀一层2~3nm的金膜,再将中间产物与硫化锌粉一起置于氩气气氛中,制得棒-针状纳米氧化锌阵列。

目前大部分贵金属/ZnO复合材料的制备都是通过在氧化物表面沉积贵金属纳米粒子,这是一种非常有效的手段。但是贵金属暴露在反应媒介中,在光催化反应中容易被腐蚀或者溶解,而且制备工艺复杂、环境不友好。

发明内容

本发明的目的在于针对目前在ZnO表面沉积贵金属纳米粒子容易被腐蚀、制备工艺复杂、环境不友好等缺点,提供一种松树形Au修饰氧化锌催化剂及其制备方法和应用,制备条件简单,易于操作,使金纳米粒子均匀分散在ZnO中,可以提高金纳米粒子的化学稳定性,同时作为晶核剂诱导调控ZnO的形貌结构,并应用于砷污染废水和染料废水的治理。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种松树形Au修饰氧化锌催化剂是采用原位还原金纳米晶核剂诱导制得的,催化剂中Au的质量百分数为0.1%-10%。

利用乙二醇原位还原氯金酸,采用醇热的方法合成松树形Au修饰氧化锌催化剂。具体步骤如下:将氯金酸溶解于乙二醇中,搅拌均匀,加入醋酸锌和尿素,醋酸锌与尿素的物质的量的比例为1:1~5,搅拌均匀制得前驱物,100-200℃保温10-36小时,自然冷却至室温,所得沉淀经蒸馏水洗涤数次后,60-80℃烘干12-24小时,即得所述的松树形Au修饰氧化锌催化剂。

所述的松树形Au修饰氧化锌催化剂表面带正电,用于高效吸附光催化氧化去除废水中的As(III)和阴离子型染料。

本发明的显著优点在于:针对目前在ZnO表面沉积贵金属纳米粒子容易被腐蚀、制备工艺复杂、环境不友好等缺点,提供一种制备条件简单、易于操作的制备方法,使金纳米粒子均匀分散在ZnO中,作为晶核剂调控ZnO结构。经过金纳米粒子改性修饰的ZnO由于表面带正电,对于As(III)和阴离子型染料有着较强的吸附和光催化降解性能,去除率高达90%以上。

附图说明

图1是实施例3合成的催化剂的场发射扫描电镜图。                                       

图2是实施例3合成的催化剂的XRD图。

具体实施方式

一种松树形Au修饰氧化锌催化剂是采用原位还原金纳米晶核剂诱导制得的,催化剂中Au的质量百分数为0.1%-10%。

利用乙二醇原位还原氯金酸,采用醇热的方法合成松树形Au修饰氧化锌催化剂。具体步骤如下:将氯金酸溶解于乙二醇中,搅拌均匀,加入醋酸锌和尿素,醋酸锌与尿素的物质的量的比例为1:1~5,搅拌均匀制得前驱物,100-200℃保温10-36小时,自然冷却至室温,所得沉淀经蒸馏水洗涤数次后,60-80℃烘干12-24小时,即得所述的松树形Au修饰氧化锌催化剂。

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