[发明专利]扇出晶圆级芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法包括：

提供一承载板，具有一承载面，该承载面上形成有一可剥离胶层；

设置多个芯片于该可剥离胶层上，其中每一芯片具有一主动面及一背面，多个所述芯片的多个所述主动面贴附于该可剥离胶层上；涂布接合胶于多个所述芯片的背面；

提供一导电盖体，具有一底板及位于该底板上的多个分隔板，多个所述分隔板形成多个容置区；所述导电盖体具有一边框，多个所述分隔板与该边框的高度大于多个所述芯片的厚度，

贴附该导电盖体于该承载面上以罩覆多个所述芯片，其中多个所述芯片分别位于多个所述容置区中并以多个所述分隔板相互间隔，且该导电盖体通过该接合胶连接于多个所述芯片的背面；且在贴附该导电盖体至该承载面的步骤中，所述边框与分隔板的端面贴附至可剥离胶层上，

注入一模封胶体于该导电盖体内，以填充多个所述分隔板与多个所述芯片之间的间隙；

执行一固化制作过程，以形成一模塑体；

分离该模塑体与该承载板，其中每一个芯片的主动面位于该模塑体的一第一表面；

形成一线路连接层于该模塑体的该第一表面以连接多个所述芯片；以及执行一切割步骤，以将该模塑体分离为多个封装结构，其中每一个封装结构具有由该导电盖体切割所形成的一导电架与由该线路连接层切割所形成的一线路层；

多个所述封装结构的一第一封装结构包括一第一芯片与一第二芯片、一第一导电架与一第一线路层，该第一导电架具有一第一分隔板，位于该第一芯片与该第二芯片之间，该第一芯片与该第二芯片通过该第一导电架与该第一线路层电性连接。

2.如权利要求1所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该第一芯片为一第一功率晶体管，该第二芯片为一第二功率晶体管，该第一线路层具有一上栅极焊垫、一下栅极焊垫、一切换节点焊垫与至少一接地焊垫，其中该上栅极焊垫电性连接至该第一功率晶体管的栅极，该下栅极焊垫电性连接至该第二功率晶体管的栅极，该切换节点焊垫通过该第一导电架电性连接至该第一功率晶体管的源极与该第二功率晶体管的漏极。

3.如权利要求1所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该导电盖体的背面具有多个切割槽以定义多个所述封装结构的边界。

4.如权利要求1所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该导电盖体的背面包括多个切割记号，且该切割步骤更包括：

依据该切割记号切割该导电盖体的该底板以于每一个所述封装结构的背面形成至少一绝缘槽，该至少一绝缘槽使该导电架被分割为至少两个导电区。

5.如权利要求1所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该第一封装结构还包括一第三芯片，其中该第一芯片与该第二芯片为主动元件，该第三芯片为被动元件，该第一芯片、该第二芯片与该第三芯片通过该第一导电架与该第一线路层相互电性连接。

6.如权利要求5所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该第一芯片与该第二芯片为功率晶体管，该第三芯片为二极管。

7.如权利要求1所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该第一封装结构还包括一控制芯片，通过该第一导电架与该第一线路层电性连接至该第一芯片与该第二芯片的控制端。

8.如权利要求7所述的扇出晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，粘接该控制芯片的背面与该第一导电架的接合胶为绝缘胶。