[发明专利]晶圆背胶的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆背胶的制备方法。

背景技术

在集成电路后续封装过程中，需要进行晶圆背面减薄、分片、贴片、引线 键合等工艺，在对晶圆进行分片之前，需要在晶圆的背面标记每个芯片的信息， 目前，通常在晶圆背面形成一层聚合物，并且经过加热处理等工艺之后形成一 层背胶，在背胶上用激光进行标记。

形成背胶的具体过程为，将晶圆反向放置，使用刮刀等工具将聚合物涂在 晶圆背面形成聚合物薄膜，并且控制聚合物薄膜的厚度在20微米-25微米，之 后将晶圆放在烘烤箱中烘烤约2小时，烤箱的温度控制在135℃-150℃。经过烘 烤之后的聚合物薄膜形成一层硬度较大的薄膜，即为背胶。形成背胶之后，即 可在背胶上进行激光标记。

但是，由于刮刀在刮制过程中的压力、速率等，聚合物本身的粘稠度以及 环境中颗粒等因素的影响，形成的背胶的厚度、平整度等难以控制，需要反复 调试。而且，由于聚合物使用时的解冻时间、暴露在空气中的时间等难以控制， 使得聚合物自身的粘稠度不能确定。晶圆的背胶的平整度的差异，使得后续的 工艺不稳定，导致废片率较高。因此，需要一种可控性好的形成晶圆背胶的方 法。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种可控的晶圆背胶的制备方法，使得制备的晶 圆背胶的平整度、厚度、粘稠度可以提前预定，提高工艺可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆背胶的制备方法，包括：

提供晶圆以及预制膜；

使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；

对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；以及

在所述背胶上标记所述晶圆的信息。

可选的，所述预制膜的两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层。

可选的，所述晶圆背胶的制备方法还包括：

在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤之前，将所述预 制膜的一侧的所述保护层撕下来；

在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤中，将所述预制 膜的一侧面向所述晶圆的背面放置。

可选的，所述晶圆背胶的制备方法还包括：

在使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面的步骤之后，将所述预 制膜的另一侧的所述保护层撕下来。

可选的，所述预制膜的厚度和粘稠度根据要求预先制定。

可选的，所述预制膜的为平整度小于等于5％。

可选的，加热处理所述预制膜的过程中采用的温度为130℃-150℃。

可选的，加热处理所述预制膜的过程中处理的时间为100min-120min。

可选的，采用激光标记的方法在所述背胶上标记所述晶圆的信息。

可选的，所述信息包括输出电压、输出功率的信息。

与现有技术相比，本发明晶圆背胶的制备方法具有以下优点：

本发明提供的晶圆背胶的制备方法中，包括：提供晶圆以及预制膜；使用 压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形 成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法， 采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求 预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层， 使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信 息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提高工艺的可 靠性。

附图说明

图1为本发明一实施例中晶圆背胶制备方法的流程图；

图2为本发明一实施例中晶圆背胶制备方法压制预制膜的示意图；

图3为本发明一实施例中在晶圆背胶上标记信息之后的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的晶圆背胶的制备方法进行更详细的描述，其 中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的 本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本 领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。