[发明专利]具有双反射层的倒装发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201410615822.0 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104409601A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 金豫浙;冯亚萍;张溢;李志聪;叶青贤;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 倒装 发光二极管 芯片 | ||
1.一种倒装发光二极管芯片，在一透明生长基板的同一侧依次设置N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上设置透明氧化物欧姆接触层，在透明氧化物欧姆接触层上设置P反射层；在局部裸露的N型半导体层上设置N反射层；所述P反射层和N反射层布置在透明生长基板的同一侧；其特征在于：所述P反射层由P反射金属层、第一阻挡金属层和第一Ti接触金属层组成，所述P反射金属层设置在透明氧化物欧姆接触层上，第一阻挡金属层设置在P反射金属层上，第一Ti接触金属层设置在第一阻挡金属层上；所述N反射层由N反射金属层、第二阻挡金属层和第二Ti接触金属层组成，所述N反射金属层设置在N型半导体层上，第二阻挡金属层设置在N反射金属层上，第二Ti接触金属层设置在第二阻挡金属层上。
2.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述P反射金属层的厚度为1000～3000A，所述P反射金属层为可见光反射率大于80%，所述P反射金属层的材料为Ag、Al、Ni Ag或Ni Al中的任意一种。
3.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述第一阻挡金属层的厚度为10～5000A，所述第一阻挡金属层为Ni、Au、Cr、Pt中的至少任意一种。
4.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述N反射金属层的厚度为1000～3000A，N反射金属层为可见光反射率大于70%的CrAl组合结构层。
5.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述第二阻挡金属层的厚度为10～5000A，所述第二阻挡金属层为Ni、Au、Cr、Pt中的至少任意一种。
6.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述第一Ti接触金属层的厚度为10～500 A。
7.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：第二Ti接触金属层厚度为10～500 A。
8.根据权利要求1所述倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述透明氧化物欧姆接触层的厚度为5～1000A。
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