[发明专利]铜蚀刻液及其制备方法和应用、铜蚀刻方法

权利要求书

1.一种铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液用于蚀刻含有金属铜或铜的氧化物，以及金属钛、金、锡及所述金属钛、金、锡的氧化物中的至少一种的蚀刻对象物；所述铜蚀刻液是含有亚氯酸钠、碳酸氢铵和氨水的水溶液，其中，在所述铜蚀刻液中，所述亚氯酸钠的质量浓度为10g/L～15g/L，所述碳酸氢铵的质量浓度为50g/L～70g/L，所述氨水的体积浓度为10mL/L～60mL/L，其余为水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液中的水选自去离子水、蒸馏水中的任意一种。

3.一种如权利要求1或2所述的铜蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、在蚀刻液槽中加入预定量的水；

B、向所述蚀刻液槽的水中加入预定量的亚氯酸钠和碳酸氢铵，并充分溶解；

C、向步骤B得到的溶液中加入预定量的氨水，混合均匀得到所述铜蚀刻液；所述亚氯酸钠的预定量为在所述铜蚀刻液 中的质量浓度为10g/L～15g/L，所述碳酸氢铵的预定量为在所述铜蚀刻液 中的质量浓度为50g/L～70g/L，所述氨水的预定量为在所述铜蚀刻液 中的体积浓度为10mL/L～60mL/L。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤A中，所述水选自去离子水、蒸馏水中的任意一种。

5.一种如权利要求1或2所述的铜蚀刻液蚀刻铜的方法，其特征在于，包括步骤：将蚀刻对象物与所述铜蚀刻液接触；其中，所述蚀刻对象物至少含有金属铜或铜的氧化物，还含有金属钛、金、锡及所述金属钛、金、锡的氧化物中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，在将蚀刻对象物与所述铜蚀刻液接触中，所述铜蚀刻液的温度为20℃～35℃。

7.一种如权利要求1或2所述的铜蚀刻液在半导体和微机电系统的制造及封装中的应用。