[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一有源区和第二有源区，其彼此分开；

浮栅，其与所述第一有源区交叉，并且被设置成使得其的一个端部与所述第二有源区重叠；

选择栅，其与所述第一有源区交叉，以及被设置成与所述浮栅并排并且与所述浮栅耦接；

电介质层，其被设置在所述浮栅和所述选择栅之间，其中，所述电介质层、所述浮栅和所述选择栅的叠层形成水平结构的第一电容器；

阱区，其被设置在所述第二有源区中并且与所述浮栅耦接，其中，所述阱区和所述浮栅的叠层形成垂直结构的第二电容器；以及

接触部，其与所述阱区和所述选择栅共同耦接。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一有源区在第一方向上延伸，

其中，所述第二有源区在第二方向上与所述第一有源区分开，以及

其中，所述第二方向与所述第一方向基本上垂直。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述浮栅和所述选择栅在所述第一方向上彼此分开，并且在所述第二方向上彼此并排。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

第一结区、第二结区和第三结区，其被设置在所述第一有源区中，

其中，所述第一结区和所述第二结区被分别设置在所述第一有源区的第一端部和第二端部处，

其中，所述第一结区和所述第二结区被分别提供成与所述浮栅和所述选择栅的侧壁相邻，以及

其中，第三结区被设置在所述浮栅和所述选择栅之间。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述第一结区、所述第二结区和所述第三结区中的每个具有n+型导电性。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器件，还包括：

p型阱区，其被设置成包围所述第一有源区。

7.如权利要求5所述的非易失性存储器件，还包括：

p+型接触区，其被设置在所述第二有源区中。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，p+型接触区与所述接触部耦接。

9.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述阱区具有n型导电性。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一有源区和所述第二有源区由隔离层来限定。

11.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，垂直结构的所述第二电容器还包括绝缘层，其被设置在所述阱区和所述浮栅之间。

12.一种非易失性存储器件，包括：

电荷储存晶体管，其包括浮栅、与源极线耦接的第一结区、以及第三结区；

选择晶体管，其包括与字线耦接的选择栅、与位线耦接的第二结区、以及被所述电荷储存晶体管共享的所述第三结区；

第一电容器部件，其被设置在所述选择栅的端子和所述浮栅的端子之间；以及

二极管部件和第二电容器部件，其被串联设置在所述选择栅的端子和所述浮栅的端子之间。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述第一电容器部件和所述第二电容器部件在所述浮栅和所述选择栅的端子之间彼此并联耦接。

14.如权利要求12所述的非易失性存储器件，还包括：

电介质层，其被设置在所述浮栅和所述选择栅之间，

其中，所述第一电容器部件包括所述浮栅、所述电介质层和所述选择栅。

15.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述二极管部件的阳极和阴极分别与所述选择栅和所述第二电容器部件耦接。