[发明专利]基于对称周期的发光二极管封装方法以及LED封装体

权利要求书

1.一种LED封装体，包括LED芯片以及覆盖在所述LED芯片上的封装胶体层，其特征在于，所述的封装胶体层由周期数为T的对称周期膜层形成，所述的对称周期膜层由高折射率封装胶层、低折射率封装胶层和高折射率封装胶层构成，其中，所述的封装胶体层的等效折射率为n，所述的封装胶体层的厚度为D，所述的低折射率封装胶层的折射率为n₁、厚度为d₁，所述的高折射率封装胶层的折射率为n₂、厚度为d₂；

所述的封装胶体层满足以下方程：

n＝(n₁×d₁+n₂×2×d₂)/d₁+2×d₂            ①；

n₂d₂＝λ₀/8                               ②；

D＝T(d₁+2d₂)                              ③。

2.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述的低折射率封装胶层为环氧树脂层。

3.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述的高折射率封装胶层为掺杂有纳米粒子的环氧树脂层。

4.根据权利要求3所述的LED封装体，其特征在于，所述的纳米粒子为钛、铪、锡、钽、硅、锆、锌、铝中的一种氧化物。

5.一种基于对称周期的发光二极管封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

得到的LED封装体，包括LED芯片以及覆盖在所述LED芯片上的封装胶体层，所述的封装胶体层由周期数为T的对称周期膜层形成，所述的对称周期膜层由高折射率封装胶层、低折射率封装胶层和高折射率封装胶层构成，其中，所述的封装胶体层的等效折射率为n，所述的封装胶体层的厚度为D，所述的低折射率封装胶层的折射率为n₁、厚度为d₁，所述的高折射率封装胶层的折射率为n₂、厚度为d₂，；

所述的封装胶体层满足以下方程：

n＝(n₁×d₁+n₂×2×d₂)/d₁+2×d₂                ①；

n₂d₂＝λ₀/8                                   ②；

D＝T(d₁+2d₂)                     ③；

(1)根据LED芯片确定封装胶体层的等效折射率n和厚度D，低折射率封装胶层的折射率n₁和高折射率封装胶层的折射率n₂已知；

(2)根据式②，λ₀为LED芯片中心发光波长，确定高折射率封装胶层的厚度为d₂；

(3)根据已知的n、D、n₁、n₂以及d₂代入式①和式③，计算得到低折射率封装胶层的厚度为d₁和周期数T；

(4)按照上述参数制备得到LED封装体。

6.根据权利要求5所述的基于对称周期的发光二极管封装方法，其特征在于，步骤(4)中，所述的按照上述参数制备得到LED封装体具体包括：

(a)在LED芯片通过物理气相沉积技术先制备一层高折射率封装胶层；

(b)在步骤(a)沉积完高折射率封装胶层的LED芯片上通过物理气相沉积技术制备一层低折射率封装胶层；

(c)在步骤(b)沉积完低折射率封装胶层的LED芯片上通过物理气相沉积技术制备一层高折射率封装胶层，从而得到对称周期膜层；

(d)重复步骤(a)、(b)和(c)，重复周期数T次，形成封装胶体层。