[发明专利]一种有机发光器件结构及其制备方法在审
申请号: | 201410608464.0 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105633294A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 张明月;邹忠哲;施秉彝;祝文秀 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种有机发光器件结 构及其制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板(ActiveMatrixOrganicLight EmittingDiode,简称AMOLED)是OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)技术的一种,由于其相比与传统的液晶面 板具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等优点,其被认为是下 一代的显示技术受到各个厂家的重视。
但是,当前的OLED发光器件发射的光中均包含具有高强度的高 能短波蓝光,而高能短波蓝光具有极高的能量,经研究表明其能够穿 透晶状体直达视网膜,且会在视网膜上产生使得色素上皮细胞衰亡的 自由基,进而会导致光敏细胞缺少养分而引起视力损伤。
目前,为了降低OLED发光器件发射的光对人眼造成的损伤,一 般是通过调节OLED发光器件的有机膜层的厚度,进而控制微共腔室 以降低发光器件发射光中高能短波蓝光的强度,但由于工艺能力的限 制,使得有机膜层厚度的调节幅度非常有限,致使当前的OLED发光 器件发射的光中仍然包含有大量的高能短波蓝光,即其仍然会对人眼 造成损伤。
另外,当前的OLED发光器件发射的色纯度均较低,且极易受到 水氧侵蚀,进而降低了制备器件的性能及其使用寿命。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种有机发光器件结构,所述结构包 括:
OLED模组,具有用于发光的正面及相对于该正面的背面;
中间折射率层,设置于所述OLED模组的正面之上;
DBR(DistributedBraggReflector,分布布拉格反射镜)膜层,设 置于所述中间折射率层之上,以降低所述OLED模组发射的高能短波 蓝光的强度;
其中,所述DBR膜层包括依次叠置的至少两层折射单元,且每 层所述折射单元均包括第一膜层和设置于该第一膜层之上的第二膜 层;所述第一膜层和所述第二膜层交替排列设置于所述中间折射率层 之上,且所述第一膜层的折射率小于所述第二膜层的折射率。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中:
所述第二膜层的折射率与所述第一膜层的折射率之间的差值大 于0.5。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中:
所述折射单元的层数为2~6。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中:
所述DBR膜层的材质具有阻水氧特性。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中:
所述DBR膜层的厚度小于800nm,且该DBR膜层对于所述高能 短波蓝光的反射率大于0.95。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中:
所述DBR膜层中设置有光学微腔,以提高所述有机发光器件结 构发射光的色纯度。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中的所述 OLED模组包括:
阳极;
有机发光层,设置于所述阳极之上;
阴极,设置于所述有机发光层之上;
其中,所述中间折射率层设置于所述阴极之上,且所述有机发光 层中设置有光学微腔。
作为一个优选的实施例,所述的有机发光器件结构中:
所述高能短波蓝光的波长小于435nm。
本发明还记载了一种制备有机发光器件结构的方法,可应用于制 备上述任意一项所述的有机发光器件结构,所述方法包括:
提供一正面设置有中间折射率层的OLED模组;
于所述中间折射率层之上采用低温化学气象沉积工艺(Chemical VaporDeposition,简称CVD)制备DBR膜层,以降低所述OLED模 组发射的高能短波蓝光的强度;
其中,所述DBR膜层包括依次叠置的至少两层折射单元,且每 层所述折射单元均包括第一膜层和设置于该第一膜层之上的第二膜 层,且所述第一膜层的折射率小于所述第二膜层的折射率。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择