[发明专利]铝靶材的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板的制造领域，尤其涉及一种铝靶材的制造方法。

背景技术

薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板厂在6代线以上所用的配线通常为铝配线。铝配线通常利用物理气相沉积技术形成，即通常通过铝靶材溅射的方式形成膜层，然后采用刻蚀工艺刻蚀膜层形成铝配线。

铝靶材通常由纯铝制作。现有铝靶材的制作过程通常包括提供铝锭，并对铝锭进行第一热处理，然后对第一热处理后的铝锭进行锻打，以形成第一铝靶材坯料，再对第一铝靶材坯料进行第二热处理，在第二热处理后，对第一铝靶材坯料进行轧制，形成第二铝靶材坯料，最后对第二铝靶材坯料进行第三次热处理，以使第二铝靶材坯料中的晶粒再结晶，从而形成铝靶材。

然而，现有铝靶材的制造方法通常无法达到高世代TFT-LCD面板的使用需求。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种铝靶材的制造方法，以使得制造形成的铝靶材满足达到高世代TFT-LCD面板的使用需求。

为解决上述问题，本发明提供一种铝靶材的制造方法，包括：

提供铝锭；

对所述铝锭进行第一热处理；

在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料；

对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理；

在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶材坯料；

将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起；

对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶材。

可选的，所述第二铝靶材坯料的形状呈长方体，所述长方体中面积最大的两个表面为主表面，其它表面为侧面；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起的步骤包括：将相邻两个所述第二铝靶材坯料中，第一个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面与第二个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面至少部分叠合在一起。

可选的，将全部所述第二铝靶材坯料按阶梯错开式叠合，以使相互叠合的所述主表面至少有部分暴露在外，并在每个所述第二铝靶材坯料的所述主表面连接一个热电偶。

可选的，将全部所述第二铝靶材坯料按完全重叠式叠合，以使相互叠合的所述主表面完全重叠在一起，并在每个所述第二铝靶材坯料的所述侧面连接一个热电偶。

可选的，接触在一起的所述第二铝靶材坯料具有两个完全暴露在外的所述主表面，采用铝板与至少其中一个完全暴露在外的所述主表面叠合。

可选的，还包括：对接触在一起的所述第二铝靶材坯料进行捆绑，在捆绑后对所述第二铝靶材坯料进行所述第三热处理。

可选的，将三个、四个或者五个所述第二铝靶材坯料接触在一起。

可选的，所述第三热处理的热处理温度为245℃～255℃，热处理时间为14.5min～15.5min。

可选的，所述第二热处理的热处理温度为395℃～405℃，热处理时间为29.5min～30.5min。

可选的，所述第一热处理的热处理温度为295℃～305℃，热处理时间为29.5min～30.5min。。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，首先提供铝锭，并对所述铝锭进行第一热处理，在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料，然后对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理，在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶材坯料，之后将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起，对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶材。由于先将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起，再对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，因此，在第三热处理时，接触在一起的第二铝靶材坯料之间会发生热传递，而铝靶材坯料本身是金属材料，金属的导热性能良好，因此在第三热处理过程中，接触在一起的第二铝靶材坯料各部分温度能够达到均匀，从而使热处理后得到的铝靶材中，不仅将晶粒大小控制在100μm以下，而且不同铝靶材之间的晶粒大小均一。此外，由于一次对至少两个第二铝靶材坯料进行第三热处理，还同时提高了生产效率，降低了生产成本。