[发明专利]一种结构简单的三银LOW-E玻璃

说明书

技术领域：

本发明涉及一种结构简单的三银LOW-E玻璃。

背景技术：

LOW-E玻璃，是一种高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品，具有节能减排及装饰幕墙的双重功效。

然而，随着节能减排政策的不断深入，人们对玻璃的节能指标要求越来越高，部分城市的节能要求，连双银LOW-E玻璃都达不到其节能要求，只能寻求三银LOW-E玻璃，但传统的三银LOW-E玻璃最低需要14层膜才能达到要求，结构复杂。

故有必要对现有的产品作出改进，以提供一种既能达到节能效果，结构又简单的三银LOW-E玻璃。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其结构简单，且具有与传统三银LOW-E玻璃相当的节能效果。

一种结构简单的三银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有第一ITO介质层、第一Ag层、第二ITO介质层、第二Ag层、第三ITO介质层、第三Ag层、以及第四ITO介质层。

本发明可通过如下方案进行改进：

所述第一ITO介质层的厚度为80nm。

所述第一Ag层的厚度为10nm。

所述第二ITO介质层的厚度为120nm。

所述第二Ag层的厚度为10nm。

所述第三ITO介质层的厚度为120nm。

所述第三Ag层的厚度为10nm。

所述第四ITO介质层的厚度为80nm。

本发明具有如下优点：1、本发明创新地采用7层膜，不但结构简单，而且能达到传统三银LOW-E玻璃的节能要求。2、生产设备简单，全是金属溅射，无反应溅射，工艺稳定。3、设备投入小。

附图说明：

图1为本发明结构剖视图。

具体实施方式：

如图所示，一种结构简单的三银LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材1的上表面由下而上依次设有第一ITO介质层2、第一Ag层3、第二ITO介质层4、第二Ag层5、第三ITO介质层6、第三Ag层7、以及第四ITO介质层8。

进一步地，所述第一ITO介质层2的厚度为80nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。该层起到底层介质层、阻挡层、平整层这三层的作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，造成玻璃氧化。

再进一步地，所述第一Ag层3的厚度为10nm，为功能层。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成，氩气气体流量为500～550SCCM。

更进一步地，所述第二ITO介质层4的厚度为120nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。该层起到中间介质层、阻挡层、平整层这三层的作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，造成玻璃氧化。

又进一步地，所述第二Ag层5的厚度为10nm，为功能层。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成，氩气气体流量为500～550SCCM。

再进一步地，所述第三ITO介质层6的厚度为120nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。该层起到中间介质层、阻挡层、平整层这三层的作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，造成玻璃氧化。

更进一步地，所述第三Ag层7的厚度为10nm，为功能层。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成，氩气气体流量为500～550SCCM。

又进一步地，所述第四ITO介质层8的厚度为80nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧比为：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。该层起到顶层介质层、阻挡层、保护层这三层的作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，防止玻璃被机械及化学损伤。