[发明专利]金属层的形成工艺

权利要求书

1.一种金属层的形成工艺，其特征在于，所述形成工艺包括：

步骤S1，在温度T1范围内，在基体表面进行溅射，形成厚度为30nm～100nm的第一金属层，所述温度T1在400～450摄氏度之间；

步骤S2，将具有所述第一金属层的所述基体在所述温度T1下保持100s～300s对所述第一金属层进行退火；以及

步骤S3，在温度T3范围内，在所述第一金属层的表面进行溅射，形成厚度A为0.1μm～10μm的第二金属层，其中温度T1大于温度T3。

2.根据权利要求1所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S1中的厚度优选为40nm～90nm，进一步优选为40nm～70nm，进一步优选为40nm～50nm。

3.根据权利要求1所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S3在进行溅射之前还包括将完成所述步骤S2的所述基体、所述第一金属层冷却至温度T2范围内的冷却过程，所述温度T2等于0.9～1.1倍的所述温度T3。

4.根据权利要求3所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述冷却过程在50s～500s内完成。

5.根据权利要求1所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述温度T3在60～95摄氏度之间。

6.根据权利要求1所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11，在100s～300s内将所述基体预热到350～450摄氏度；以及

步骤S12，在所述温度T1范围内，在所述基体表面进行溅射，形成所述第一金属层。

7.根据权利要求6所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S11包括：

步骤A，在100s～300s内将所述基体预热到350～450摄氏度；以及

步骤B，设定所述温度T1，溅射延时5s～20s。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S1中的溅射功率0.5KW～1.5KW，溅射时间为5s～40s。

9.根据权利要求8所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31，在所述温度T3范围内，在所述第一金属层表面进行溅射，形成厚度为0.4A～0.6A的第二金属预备层；

步骤S32，将完成所述步骤S31的所述基体、所述第一金属层和所述第二金属预备层冷却100s～500s；以及

步骤S33，在所述温度T3范围内，在所述第二金属预备层表面进行溅射，形成厚度为0.4A～0.6A的第三金属预备层，所述第二金属预备层和所述第三金属预备层形成所述第二金属层，

所述步骤S31和所述步骤S33的溅射温度相同或不同。

10.根据权利要求9所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述步骤S31和所述步骤S33的溅射功率为2.0KW～3.0KW。

11.根据权利要求1所述的金属层的形成工艺，其特征在于，所述金属为铝、铝硅或铝硅铜，所述基体为硅基板。