[发明专利]有机电致发光器件以及显示装置在审
申请号: | 201410602660.7 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN104300085A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 以及 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及电致发光领域,特别是涉及一种有机电致发光器件以及显示装置。
背景技术
有机电致发光显示(OLED)装置具备能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等。与LCD相比,制造OLED装置的工艺相对简单,可以降低生产成本。有机电致发光显示装置的核心部件是有机电致发光器件。
OLED器件中的有机发光材料层或TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)在受到外界紫外线的照射后,会发生性质改变或性能下降。OLED器件中的氧化物薄膜晶体管在经过紫外光照射后,半导体层中的价带电子和禁带缺陷能使集中捕获的电子轻易吸收能量跃迁至导带,从而产生光生电子-空穴对,最终使Vth(阈值电压)发生漂移,SS(亚阈值摆幅)增大,开关比变小,进而对整个OLED器件造成影响,严重影响画面的显示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有效防止紫外线侵袭、显示效果稳定的有机电致发光器件以及显示装置。
本发明的有机电致发光器件,包括基板、薄膜晶体管、阳极、阴极以及位于阳极、阴极之间的用于发光的有机发光层,所述有机发光层的出光侧设置有用于遮挡紫外光的遮挡层。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述阴极的外侧设置有钝化层,所述钝化层的外侧设置有薄膜层,所述遮挡层设置于所述薄膜层的外侧。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述阴极的外侧设置有钝化层,所述钝化层的外侧设置有薄膜层,所述遮挡层设置于所述钝化层与所述阴极之间。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述阴极的外侧设置有钝化层,所述钝化层的外侧设置有薄膜层,所述遮挡层设置于所述薄膜层与所述钝化层之间。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述阴极的外侧设置有钝化层,所述钝化层的外侧设置有薄膜层,所述遮挡层设置于所述阴极的内侧,所述遮挡层设置于所述阴极与所述有机发光层之间。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述有机发光层包括发光区域以及非发光区域,所述遮挡层包括多个遮挡单元,所述遮挡单元与所述有机发光层的非发光区域对应。
本发明的有机电致发光器件,其中,,所述遮挡单元的长度与所述有机发光层的非发光区域的长度相等。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述有机发光层由多个像素分隔墙分隔形成多个像素,多个所述薄膜晶体管设置于所述基板与所述阳极之间,多个所述薄膜晶体管与多个像素分隔墙分别一一对应,多个遮挡单元与多个像素分隔墙分别一一对应。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述遮挡层的材料为氧化锌、铟镓锌氧化物、TiO2、SnO2、ITZO、AIZO、ZnSnO、HfInZnO、AZTO、AlZnSnO、ZnON中的一种。
本发明的有机电致发光器件,其中,所述有机电致发光器件的薄膜晶体管是顶栅结构或底栅结构。
本发明的显示装置,包括本发明的有机电致发光器件。
本发明的技术方案,通过在有机电致发光器件内设置一层紫外线遮挡层,防止外界紫外线对有机发光层材料或薄膜晶体管的性质产生影响,进而保护整个有机电致发光器件的性能。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光器件的第一种实施例的结构示意图;
图2为本发明的有机电致发光器件的第二种实施例的结构示意图;
图3为本发明的有机电致发光器件的第三种实施例的结构示意图;
图4为本发明的有机电致发光器件的第四种实施例的结构示意图;
图5为本发明的有机电致发光器件的第五种实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。
本发明公开了一种OLED器件,防止外界紫外线对有机发光层或薄膜晶体管的性质产生影响,进而保护整个OLED器件的性能。
实施例一
如图1所示,本发明的有机电致发光器件的实施例,包括基板1、薄膜晶体管2、阳极3、阴极4以及位于阳极3、阴极4之间的用于发光的有机发光层5,有机发光层5的出光侧设置有用于遮挡紫外光的遮挡层6。
本发明的有机电致发光器件的实施例,其中,薄膜晶体管2包括源极21、有源层22、栅极23、漏极24。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择