[发明专利]相变温度和矫顽力都可调的磁存储介质薄膜及其制作方法在审
| 申请号： | 201410598581.3 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104318932A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李国庆;谭兴文;林跃强 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 温度 矫顽力 可调 存储 介质 薄膜 及其 制作方法 | ||
1.一种反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜，包括MgO(001)基片及其上的FePt/FeRh双层复合薄膜，其特征在于：所述双层复合薄膜的FePt膜是通过溅射靶控制Fe和Pt的生长速率，将FePt层的Fe原子Pt原子的比例控制在1:1；在MgO(001)基片上生长25 nm厚的FePt而获得，FeRh薄膜厚50 nm。
2.权利要求1所述的反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备方法，步骤为：
1） 利用高真空磁控溅射镀膜法，所用靶材为Fe和Pt，通过溅射靶控制Fe和Pt的生长速率，将FePt层的Fe原子Pt原子的比例严格控制在1:1；在MgO(001)基片上生长25 nm厚的FePt；
2）成膜后取出样品放入真空热处理炉，在450℃ - 700℃范围内，进行热处理以改变FePt的A1→L10转变程度；
3）将热处理后的样品放回磁控溅射室，利用高真空磁控溅射镀膜法，所用靶材为Fe和Rh，生长50 nm厚的FeRh；
4）对得到的FePt/FeRh双层薄膜继续保温24 h，促使FeRh层转变为有序的B2相。
3.根据权利要求2所述的反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备方法，所述高真空磁控溅射镀膜法是在氩气气氛中进行溅射。
4.根据权利要求2所述的反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备方法，所述高真空磁控溅射镀膜法的条件为：背景真空度优于2×10-5 Pa，工作时Ar气气压为2.8 Pa，成膜温度为400℃，靶材纯度均不低于99.9%。
5.根据权利要求2所述的反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备方法，所述FePt薄膜热处理时间为6 h，温度控制在450℃ - 600℃范围。
6.根据权利要求2所述的反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备方法，所述生长FeRh薄膜的温度为450℃。
7.根据权利要求2所述的反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备方法，所述FePt/FeRh双层薄膜的保温温度为450℃。
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