[发明专利]一种CIGS太阳能电池吸收层的制备设备及其制备方法

权利要求书

1.一种CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于， 包括以下步骤：（1）放置样品与安装靶材；（2）关闭真空室，进行抽真空；（3）溅射和硒化制备CIGS薄膜，其中，在步骤（1）中，所述样品为镀Mo层的衬底，所述衬底采用玻璃、石英或金属衬底，所述靶材由Cu、In、Ga三种元素组成的靶材或由Cu、In、Ga三种元素任一种或两种组成的靶材。

2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于， 在步骤（2）中，所述关闭真空室，进行抽真空是通过采用机械泵与分子泵进行的，当所述真空室达到所需真空度后，通过气体进气口注入Ar和H₂Se气体，并通过真空泵调节所述真空室的气压至一定压强，准备进行溅射，其中，所述H₂Se气体的含量为1-10%。

3.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，所述靶材溅射在镀Mo层的衬底上，并在所述镀Mo层的衬底上沉积CIG预制层，同时，H₂Se气体以一定浓度通过气体进气口注入所述真空室内，在溅射制备出CIG薄膜的同时，所述H₂Se气体与CIG预制层反应硒化，形成所述CIGS薄膜，其中，所述CIGS薄膜的成分可通过改变所述靶材的溅射功率和所述H₂Se气体的含量来进行调节。

4.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，在溅射过程中，所述样品台以一定速度相对所述靶材旋转，以便制备得到的所述CIGS薄膜具有良好均匀性。

5.一种CIGS太阳能电池吸收层的制备设备，其特征在于，包括真空室、样品台、靶材、溅射电源及真空泵，所述样品台和靶材相对设置在所述真空室室内，所述溅射电源设置在所述真空室室外且与所述靶材电连接，所述真空室开设有气体进气口，通过所述气体进气口将Ar和H₂Se气体注入所述真空室，所述真空泵连通至所述真空室，用于保持所述真空室室内一定的压强，其中，在溅射过程中，所述样品台以一定速度相对所述靶材旋转。

6.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备设备，其特征在于，所述靶材固定设置在所述真空室室内顶部，所述样品台对应地设置在所述真空室室内底部。

7.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备设备，其特征在于，所述靶材固定设置在所述真空室室内底部，所述样品台对应设置在所述真空室室内顶部。

8.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备设备，其特征在于，所述样品台固定设置在所述真空室的一内侧面上，所述靶材间隔设置在相对应的另一内侧面上。