[发明专利]一种CIGS太阳能电池吸收层的制备方法

权利要求书

1.一种CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于， 包括以下步骤：（1）放置样品与安装靶材；（2）关闭真空腔体，进行抽真空；（3）溅射制备CIG预制层，进行低温预热处理；（4）硒化热处理制备CIGS薄膜，其中，在步骤（1）中，所述样品为镀Mo层的衬底，所述衬底采用玻璃、石英或金属衬底，所述靶材是由Cu、In、Ga三种元素组成的靶材或是由Cu、In、Ga三种元素任一种或两种组成的靶材。

2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述关闭真空腔体，进行抽真空是通过采用机械泵与分子泵进行的，当所述真空腔体达到所需真空度后，注入Ar，调节所述真空腔体的气压至一定压强。

3.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，首先是开启溅射电源进行溅射，所述靶材溅射在镀Mo层的衬底上，在所述镀Mo层的衬底上沉积形成CIG预制层，然后将所述CIG预制层置入热处理炉进行预热处理，再降至室温后取出所述CIG预制层。

4.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，预热处理的温度为150-400℃，预热处理的时间为10-80 min。

5.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，在溅射制备CIG预制层过程中，所述样品台以一定速度相对所述靶材旋转，以便制备得到的所述CIG预制层具有良好均匀性。

6.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（4）中，将所述CIG预制层放入硒化炉，通过机械泵或扩散泵抽真空对所述硒化炉抽真空至一定压强，排除空气，保证所述硒化炉内一定的气压，然后通入含有H₂Se与Ar的混合气体，并采用Ar或N₂等惰性气体作为载气，进行硒化热处理得到CIGS吸收层，其中，H₂Se或Se蒸汽作为硒化热处理过程中的硒源，Se含量为0.01-1%。

7.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在步骤（4）中，所述硒化热处理的温度为450-600℃，所述硒化热处理的时间为10-80min。