[发明专利]一种超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法

权利要求书

1.一种超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将氯化亚铜、氯化铟、氯化镓与硒粉混合后加入烷基胺中反应，得到CIGS纳米晶； 

将所述CIGS纳米晶与有机溶剂混合分散，得到CIGS纳米晶墨水，将基板浸渍在所述CIGS纳米晶墨水中，并浸渍提拉进行涂膜，干燥后得到涂膜基板； 

将所述涂膜基板与超临界流体溶液分开置于密闭环境中，加热处理，使所述超临界流体溶液蒸发形成超临界流体与涂膜基板充分接触进行硒化反应，得到CIGS薄膜。

2.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，制备所述CIGS纳米晶的具体方法为：

在惰性气氛中，将氯化亚铜、氯化铟和氯化镓与硒粉混合后加入烷基胺，得到混合物，除去水和氧气，升温至220～300℃搅拌下反应1～4h后，冷却至室温，得到悬浮液，对所述悬浮液进行分离提纯，得到CIGS纳米晶。

3.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备CIGS纳米晶的步骤中，所述烷基胺为甲苯、己硫醇、二甲苯、正己烷、苯、吡啶中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备涂膜基板的步骤中，所述有机溶液为苯或己硫醇。

5.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备涂膜基板的步骤中，所述CIGS纳米晶与有机溶剂的配比为（0.1～2）g∶（10～100）mL。

6.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备涂膜基板的步骤中，所述浸渍提拉进行涂膜的速度为0.5～15cm/min。

7.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备CIGS薄膜的步骤中，所述超临界流体溶液为甲硒醇、乙硒醇、苯硒醇中的一种或一种以上的混合。

8.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备CIGS薄膜的步骤中，所述超临界流体溶液的浓度为1～50mmol/L。

9.根据权利要求1所述的超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，在制备CIGS薄膜的步骤中，所述加热处理的温度为100～400℃。