[发明专利]辐射探测电路

权利要求书

1.一种辐射探测电路，包括：

差分放大器模块，包括共模支路和差模支路，共模支路和差模支路分别含有用于分别感测待测辐射的第一PMOS晶体管(M3)和第二PMOS晶体管(M4)，共模支路的共模输出与差模支路的差模输出的差反映所述待测辐射的大小；

电流控制模块，用于在维持流经共模支路和差模支路的总电流不变的情况下，控制流经共模支路和差模支路的各自的电流。

2.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，电流控制模块包括恒定电流源和第一、第二电压源。

3.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述共模支路还包括第一NMOS晶体管(M1)，第一PMOS晶体管(M3)的源极接电源电压，第一NMOS晶体管(M1)的源极连接恒定电流源，第一PMOS晶体管(M3)和第一NMOS晶体管(M1)的漏极相连作为共模支路的共模输出，第一PMOS晶体管(M3)的栅极与其漏极相连，第一NMOS晶体管(M1)的栅极与第一电压源的正极相连，第一电压源的负极接地。

4.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述差模支路还包括第二NMOS晶体管(M2)，第二PMOS晶体管(M4)的源极接电源电压，第二NMOS晶体管(M2)的源极连接恒定电流源，第二PMOS晶体管(M4)和第二NMOS晶体管(M2)的漏极相连作为差模支路的差模输出，第二PMOS晶体管(M4)的栅极与其漏极相连，第二NMOS晶体管(M2)的栅极与第二电压源的正极相连，第二电压源的负极接地。

5.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，第一、第二电压源电压可变。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的辐射探测电路，其特征在于，第一PMOS晶体管(M3)和第二PMOS晶体管(M4)的配置完全一致，第一NMOS晶体管(M1)和第二NMOS晶体管(M2)的配置完全一致。

7.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述第一、第二PMOS晶体管(M3、M4)工作于饱和区。