[发明专利]一种CMOS图像传感器像素结构在审
| 申请号： | 201410594140.6 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104269423A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 像素 结构 | ||
1.一种CMOS图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，所述电荷传输晶体管的栅极制作在所述半导体基体内部，所述电荷传输晶体管的栅极与所述光电二极管之间设置有P型离子隔离区。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述电荷传输晶体管的栅极与光电二极管之间的距离大于等于0.2um，所述电荷传输晶体管的栅极与光电二极管之间的平行交叠区大于等于0.3um，所述电荷传输晶体管的栅极在半导体基体中的深度大于等于0.3um。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述电荷传输晶体管栅极的多晶硅侧壁和底部设置有薄氧化层，所述薄氧化层的厚度为3nm～15nm。
4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述P型离子隔离区的一侧与所述光电二极管相接触，另一侧与所述电荷传输晶体管的栅极交叠0um～0.2um，所述P型离子隔离区的深度大于所述电荷传输晶体管栅极深度至少0.1um。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述漂浮有源区与光电二极管之间设置有P型离子隔离区,所述漂浮有源区与光电二极管的距离大于等于0.2um。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述电荷传输晶体管的栅极和漂浮有源区制作有P阱区，所述P阱区与P型离子隔离区相接触。
7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述光电二极管为N型光电二极管，所述电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管为N型晶体管。
8.根据权利要求1至7任一项所述的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述P型离子隔离区的P型离子浓度为1E15Atom/cm3～1E17Atom/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
