[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关技术)显示模式是平面场模式的一种，具有透过率高、画面清晰的优点。

如图1所示，为一种FFS模式显示装置的结构示意图，在阵列基板上制作数据线1后，形成绝缘层，其上形成公共电极2，再形成绝缘层3，在绝缘层3之上形成像素电极4，彩膜基板上形成有黑矩阵7和彩膜6，阵列基板和彩膜基板之间夹设有液晶层5。其中，像素电极4制作成狭缝结构，在像素电极4和公共电极3之间形成驱动电场8驱动液晶，从而实现图像显示。但是众所周知，对于FFS显示模式的显示装置，其在像素的边缘，驱动电场相对于像素内的驱动电场弱很多，液晶分子几乎不发生偏转，所以在像素边缘透过率较低，影响显示效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够提高像素边缘透过率，从而改善显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括：像素电极和公共电极，还包括：辅助公共电极，所述辅助公共电极的设置位置与相邻两个像素电极之间的间隔位置相对应，并与所述公共电极电连接。

可选地，所述辅助公共电极为长条状。

优选地，所述阵列基板，还包括：数据线；所述辅助公共电极位于所述数据线上方的对应位置处。

进一步地，所述的阵列基板，还包括：栅线；与所述栅线相对应的位置处也设置有所述辅助公共电极。

优选地，所述辅助公共电极与所述像素电极同层设置。

可选地，所述像素电极和所述公共电极之间设置有绝缘层；所述辅助公共电极通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述公共电极电连接。

可选地，所述像素电极为狭缝电极。

可选地，所述公共电极为板式电极。

本发明还提供一种显示装置，包括权利要求任一项所述的阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板制造方法，包括形成像素电极的工序，以及形成公共电极的工序，还包括：形成辅助公共电极的工序，所述辅助公共电极的设置位置与相邻两个像素电极之间的间隔位置相对应，并与所述公共电极电连接。

本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，在相邻两个像素电极之间的间隔位置还额外设置有辅助公共电极，且该辅助公共电极与公共电极电连接，这样，除像素电极和公共电极之间形成电场外，像素电极还能与辅助公共电极形成额外的辅助电场驱动像素边缘的液晶分子，所以像素边缘的驱动电场会变强，液晶分子偏转更充分，透过率更高，因而本实施例技术方案能够提高像素边缘的透过率，改善显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有FFS模式显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例一种具体实施方式中像素电极和辅助公共电极所在层的平面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的FFS模式显示装置的结构示意图；

图5为现有技术和本发明实施例提供的显示装置的透过率分布比较模拟图。

附图标记

1-数据线，2-公共电极，3-绝缘层，4-像素电极，5-液晶，6-彩膜，7-黑矩阵，8-驱动电场，9-辅助公共电极，10-过孔。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板包括：像素电极4和公共电极2，除此之外该阵列基板还包括：辅助公共电极9，辅助公共电极9的设置位置与相邻两个像素电极4之间的间隔位置相对应，并与公共电极2电连接。