[发明专利]七电平逆变电路及其控制方法、多相逆变器及变频器有效
| 申请号: | 201410589971.4 | 申请日: | 2014-10-28 | 
| 公开(公告)号: | CN104333249A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 | 
| 发明(设计)人: | 马永健 | 申请(专利权)人: | 北京合力电气传动控制技术有限责任公司 | 
| 主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483 | 
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 栾波 | 
| 地址: | 102206 北京市昌平区回*** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电平 电路 及其 控制 方法 多相 逆变器 变频器 | ||
技术领域
本发明涉及变频器技术领域,具体而言,涉及一种七电平逆变电路及其控制方法、多相逆变器及变频器。
背景技术
变频器(Variable-frequency Drive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。作为一种基本的电器设备,已经得到了较为广泛的应用。
变频器(含逆变器,下同)分为电压源型和电流源型两类。电压源型的变频器按照每相能够输出的电平数量,分为2电平、3电平、5电平以及更多电平,其中超过2电平的变频器统称为多电平变频器。
在单个电力电子器件耐电压水平受限的情况下,更多的电平意味着更高的电压输出能力,以及输出电压具有更好的波形,更低的谐波,这也是电平数量增加的主要意义。
电压源型多电平变频器分为共直流母线结构和变压器隔离结构两类,前者的每个输出相共用直流母线,结构较为简洁,但需要较为先进的电路拓扑才能够产生较多电平的输出;后者由变压器的相互隔离的绕组提供相互隔离的电源,然后通过不同绕组对应的逆变电路间的电压叠加实现多电平输出,这种变频器需要较为复杂的变压器,成本和体积均较高,且无法实现不同变频器见共用整流电路和/或制动电路,系统成本较高。
相关技术中,在共直流母线结构的变频器里,每相能够输出7个或以上电平数量的逆变器拓扑结构都过于复杂,因而在现实产品中未有实际应用。
例如,如图1示出了一种二极管箝位型七电平逆变电路结构,该种结构最早由德国学者提出,通过控制开关器件的导通关断状态,由二极管实现对开关器件电压的箝位,实现7个电平的输出。该种结构需要过多的二极管,结构复杂,成本和体积较高,且对电容均压的控制极其复杂。
又例如,图2示出了一种电容箝位型七电平逆变电路结构,该种结构最早由法国学者提出,通过对每层电容的电压控制和选通,实现7个电平的输出。该种结构需要过多的电容,且图中每个电容的耐压和容量都不同,体积过大,成本过高。
综上可看出,现有的共直流母线多电平的变频器,达到7个电平的拓扑结构过于复杂,成本和体积过高,实用性较低。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的在于提供一种七电平逆变电路及其控制方法、多相逆变器及变频器,以简化七电平逆变电路的拓扑结构,降低成本。
本发明实施例提供了一种七电平逆变电路,包括:并联于共直流母线正极与共直流母线中性极之间的电容C1;并联于共直流母线中性极与共直流母线负极之间的电容C2;依次串联于共直流母线中性极与输出极之间的电力电子开关S2、电力电子开关S5、电力电子开关S7及电力电子开关S8;依次串联于共直流母线中性极与输出极之间的电力电子开关S3、电力电子开关S6、电力电子开关S9及电力电子开关S10;连接于电力电子开关S2与电力电子开关S5的串联节点与共直流母线正极之间的电力电子开关S1;连接于电力电子开关S3与电力电子开关S6的串联节点与共直流母线负极之间的电力电子开关S4;依次串联于电力电子开关S5与电力电子开关S7的串联节点及电力电子开关S6与电力电子开关S9的串联节点之间的电容C3及电容C4;连接于电力电子开关S7与电力电子开关S8的串联节点及电容C3与电容C4的串联节点之间的电力电子开关S11;连接于电力电子开关S9与电力电子开关S10的串联节点及电容C3与电容C4的串联节点之间的电力电子开关S12。
优选地,所述电力电子开关S1~电力电子开关S10均为逆导型可关断器件;所述电力电子开关S11及所述电力电子开关S12分别为二极管。
优选地,所述电力电子开关S1~电力电子开关S12均为逆导型可关断器件。
优选地,所述逆导型可关断器件包括可关断电力电子器件及二极管;所述可关断电力电子器件包括发射极及集电极;所述发射极与所述二极管的阳极连接,所述集电极与所述二极管的阴极连接;所述可关断电力电子器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT、集成门极换流晶闸管IGCT、注入增强栅晶体管IEGT、双极结型晶体管BJT或可关断晶闸管GTO。
优选地,所述电容C1与所述电容C2的耐压值相同;所述电容C3与所述电容C4的耐压值相同;所述电容C1的耐压值为所述电容C3的耐压值的3倍。
优选地,所述电力电子开关S1~所述电力电子开关S4的耐压值相同;所述电力电子开关S5~所述电力电子开关S12的耐压值相同;所述电力电子开关S1的耐压值为所述电力电子开关S5的耐压值的3倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京合力电气传动控制技术有限责任公司,未经北京合力电气传动控制技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410589971.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





