[发明专利]自对准接触制造方法

权利要求书

1.一种自对准接触制造方法，包括：

在衬底上的层间介质层中形成多个金属栅极以及每个金属栅极两侧的栅极侧墙，栅极侧墙的宽度大于等于金属栅极宽度与源漏区宽度之差的一半；

自对准刻蚀，完全去除层间介质层，露出栅极侧墙和源漏极区域；

形成接触金属层，覆盖衬底的源漏极区域和金属栅极顶部、以及栅极侧墙侧壁，直接接触相邻金属栅极的栅极侧墙；以及

平坦化接触金属层，直至暴露栅极侧墙顶部。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成金属栅极的步骤进一步包括：在衬底上形成假栅极堆叠；在假栅极堆叠两侧形成栅极侧墙；在栅极侧墙两侧的衬底中和/或上形成源漏区；在衬底上形成覆盖了假栅极堆叠的第一层间介质层；平坦化层间介质层直至暴露假栅极堆叠；选择性刻蚀去除假栅极堆叠，在第一层间介质层中留下栅极开口；在栅极开口中形成栅极介质层和金属栅极。

3.如权利要求1所述的方法，其中，金属栅极和/或接触金属层材质包括W单质、或W合金。

4.如权利要求3所述的方法，其中，金属栅极和/或接触接触层材质除了w、W合金之外，还进一步包括调节功函数的材料，选自Ti、TiN、Ta、TaN、TiAI、TiC、TiAIC的任一种及其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，层间介质层为氧化硅或低k材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中，栅极侧墙致密性大于层间介质层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，栅极侧墙材料为氮化硅。