[发明专利]一种LED驱动的控制装置和控制方法有效
申请号: | 201410584906.2 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104270875A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 许晶 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100048 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 驱动 控制 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及LED控制技术,尤其涉及一种LED驱动的控制装置和控制方法。
背景技术
目前的LED电流调节主要有两种方式:1.用PWM信号开关LED电流的调节方式,LED上的平均电流等于LED导通电流乘以PWM信号的占空比。然而,当PWM(脉冲宽度调制)信号处于音频范围内时,开关LED电流的调节方式会引起音频噪声的问题,限制了其应用。2.用PWM信号或单线数字信号转换成连续调节电压进而连续调节LED电流的调节方式,然而,此调节方式则会因为运放失调电压的存在而使LED电流的调节范围受到限制。又由于现有技术中采用内置电流漏的多通道串联LED驱动器其电流漏上的电压不能特别低,从而会引起较大功耗,使得从电能到光能的转换效率降低,因此,有必要研发一种既能降低功耗,提高电能至光能的转换效率,又能增大LED电流的调节范围的LED驱动的控制方法。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种LED驱动的控制装置,采用带反馈的电流镜作为内置电流漏,采用峰值电流控制模式的boost拓扑结构,用于驱动串联LED,提高了电能向光能转换的转换效率。本发明还提供一种LED驱动的控制方法,电压与电流镜镜像比例结合调节LED电流的调节方式,可以使LED电流的调节范围明显增大。
本发明的技术方案是:
一种LED驱动的控制装置,其特征在于,所述控制装置包含内置电流漏,所述内置电流漏包含带反馈的电流镜,所述内置电流漏的数量与串联LED的通道数量相匹配;所述控制装置还包含用于驱动串联LED的升压电路结构,所述升压电路结构的输入端一端连接所述内置电流漏中的调光模块的输入端,另一端连接加载在所述控制装置上的电压的输入端;所述升压电路结构的开关端通过电感与所述升压电路结构的输入端相连接;所述升压电路结构的反馈端与所述内置电流漏的输出端相连接;所述升压电路结构的输出端连接串联LED的阳极,所述串联LED的阴极连接所述内置电流漏的输出端;加载在所述控制装置上的电压,经所述升压电路结构升压后,所述电流漏驱动串联LED发光,电流通过串联LED分别流入串联LED所对应的电流漏中,所述升压电路结构内部含有最小值选择电路,选出电流漏中电压较低的一路作为整个升压电路结构的反馈电压,通过调节反馈点的电压等于基准电压V1,所述升压电路结构的输出电压会自动调节到预先设定的电压,使得LED串能正常发光。
所述内置电流漏包含调光模块和电流镜镜像比例调节电路,还包含第一运算放大器OP1和P沟道MOS管M3、M4、M5、M6和M7,以及N沟道MOS管M0和电阻Rs;所述调光模块一端接入Vref参考电压,所述Vref参考电压来源于所述控制装置内部的基准电压产生电路产生的电压;所述调光模块另一端与第一运算放大器OP1的正输入端连接,所述第一运算放大器OP1的输出端连接N沟道MOS管M0的栅极,N沟道MOS管M0的源极经电阻Rs接地GND,第一运算放大器OP1的负输入端连接N沟道MOS管M0的源极;电流镜镜像比例调节电路分别连接P沟道MOS管M3、M4、M5的栅极,P沟道MOS管M3、M4、M5和M6的漏极皆与M6的栅极相连接,P沟道MOS管M6的栅极与M7的栅极互连,P沟道MOS管M6的漏极连接N沟道MOS管M0的漏极;P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7的源极均连接电源端VCC;
所述内置电流漏中还包含第二运算放大器OP2、N沟道MOS管M1和M2,所述第二运算放大器OP2的正输入端连接P沟道MOS管M7的漏极,N沟道MOS管M1的漏极与P沟道MOS管M7的漏极互连,第二运算放大器OP2的负输入端分别连接LED串的阴极和N沟道MOS管M2的漏极,第二运算放大器OP2的输出端连接N沟道MOS管M1的栅极,N沟道MOS管M1的栅极和M2的栅极互连,M1和M2的源极接地。
所述控制装置包含两个结构相同的电流漏,每个电流漏连接一组串联LED,所述控制装置驱动双通道串联LED。
所述控制装置包含1个或多个结构相同的电流漏,每个电流漏连接一组串联LED,所述控制装置驱动单通道或多通道串联LED。
所述电流镜镜像比例调节电路控制P沟道MOS管M3、M4、M5开启和关断。
所述升压电路结构采用峰值电流控制模式的boost升压电路结构。
加载在所述控制装置上的电压的输入输出端与接地端之间还分别设置有电容。
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