[发明专利]一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201410582462.9 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104402038A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王茂华;束静;马小玉;江雯 | 申请（专利权）人： | 常州市创捷防雷电子有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C04B35/453 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 卢亚丽 |
| 地址： | 213016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分散 纳米 zno 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，包括配置Zn(NO3)2、Bi(NO3)2、Co(NO3)2、SbCl3、 MnCl2 和Cr(NO3)3水溶液，进行混合得到混合溶液的步骤、将NaOH加入到混合溶液中制备单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的步骤，其特征在于：在将NaOH加入到混合溶液中之前，将十二烷基磺酸钠加入到混合溶液中，使得后续制备的单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体颗粒尺寸较小，为20~30nm，形貌均一、物相分散均匀。
2.如权利要求1所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，其特征在于步骤如下：
（1）分别配置Zn(NO3)2、Bi(NO3)2、Co(NO3)2、SbCl3、 MnCl2 和Cr(NO3)3水溶液，以摩尔百分含量计算，按照97%的ZnO,1%的Sb2O3,0.5%的Bi2O3 ，0.5%的Co3O4，0.5%的CrO3和0.5%的MnO的配比混合，搅拌均匀；
（2）配置十二烷基磺酸钠水溶液，将十二烷基磺酸钠水溶液加入到配制好的混合溶液中，加热搅拌均匀，SDS与Zn(NO3)2·6H2O的物质量之比为1~10:1；
（3）量取适量的NaOH溶液，快速加入混合溶液中，得到沉淀物，加热搅拌均匀，氢氧化钠与Zn(NO3)2·6H2O的物质量之比为2~4:1；
（4）最后将得到的粉体抽滤，并用去离子水和乙醇充分洗涤去除杂质，最后在真空干燥箱中干燥。
3.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤1中配置的Zn(NO3)2·6H2O，Bi(NO3)2·5H2O，Co(NO3)2·6H2O，SbCl3，MnCl2·4H2O水溶液浓度均为1mol/L。
4.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，其特征在于： 所述步骤2中配置十二烷基磺酸钠水溶液浓度为4mol/L。
5.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤2中加热温度为60~90℃，搅拌时间为30min。
6.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤3中配置氧化钠溶液为4mol/L，加热温度为60~90℃，搅拌时间为2h。
7.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤4中的干燥指于80℃下干燥6h。
8.采用如权利要求1所述的单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体制备ZnO压敏陶瓷的方法，所述ZnO压敏陶瓷为黑灰色固体，收缩率8%~15%，压敏电压V1mA为400~500V/mm，漏电流JLeak为1.25±0.09μA，非线性系数α为(42.16 ± 0.56)；其特征在于步骤如下：
（1）配制质量分数为5%的聚乙烯醇( PVA)溶液，加入纳米复合ZnO粉体中，在研钵中研磨，用200目的筛子过筛造粒，在30~80MPa下压制成片状；
（2）将步骤(1)制得的片状素坯在1050~1200℃下烧结，于空气气氛下保温2h，升降温速率均为5℃/min，降温至200℃后，室温下自然冷却，得到ZnO压敏陶瓷；
（3）将步骤(2)制得的ZnO压敏陶瓷表面打磨，抛光，被银，制作电极。
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