[发明专利]薄膜晶体管基板的制作方法有效
| 申请号: | 201410580452.1 | 申请日: | 2014-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN105632920B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
| 发明(设计)人: | 方国龙;高逸群;施博理;李志隆;林欣桦 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
一种薄膜晶体管基板制作方法。该方法包括:提供基板,并在该基板上形成栅极;在该基板上依次形成覆盖该栅极的栅极绝缘层、金属氧化层及第一光阻层;图案化该第一光阻层以形成第一光阻图案;蚀刻未被该第一光阻图案覆盖的金属氧化物层以形成通道;去除该第一光阻图案两侧的部分以暴露出部分通道;形成覆盖该栅极绝缘层、通道以及第一光阻图案的金属层,并在该金属层上形成第二光阻层;图案化该第二光阻层以形成第二光阻图案;蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的金属层以形成源极与漏极;以及去除该第一光阻图案与第二光阻图案。本发明所提供的薄膜晶体管基板制作方法能够在不使用蚀刻阻挡层的前提下保护通道不被损坏,从而形成理想的薄膜晶体管基板。
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制作方法。
背景技术
在制作金属氧化物薄膜晶体管基板时,由于由金属氧化物所形成的通道层在蚀刻形成源极及漏极时容易被损坏,通常需要在该通道上额外设置一蚀刻阻挡层以保护通道层。然而,该蚀刻阻挡层不仅增加了薄膜晶体管基板的整体厚度,而且会因为需要添加额外的制程而增加了生产成本。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种成本较低的薄膜晶体管基板制作方法。该方法包括:提供基板,并在该基板上形成栅极;
在该基板上依次形成覆盖该栅极的栅极绝缘层、金属氧化层及第一光阻层;
图案化该第一光阻层以形成第一光阻图案;
蚀刻未被该第一光阻图案覆盖的金属氧化物层以形成通道;
去除该第一光阻图案两侧的部分以暴露出部分通道;
形成覆盖该栅极绝缘层、通道以及第一光阻图案的金属层,并在该金属层上形成第二光阻层;
图案化该第二光阻层以形成第二光阻图案;
蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的金属层以形成源极与漏极;以及
去除该第一光阻图案与第二光阻图案。
与现有技术相对比,本发明所提供的薄膜晶体管基板的制作方法,能够在不使用蚀刻阻挡层的前提下保护通道不被损坏,从而形成理想的薄膜晶体管基板。
附图说明
图1是本发明薄膜晶体管基板的制作方法的流程图。
图2至图13是图1中各步骤流程的剖视图。
图14是由本发明制作方法制得的薄膜晶体管基板中源漏极存在不平整结构的俯视图。
主要元件符号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





