[发明专利]一种降低钎料键合热应力的方法及封装芯片有效
| 申请号： | 201410577345.3 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105525332B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 俞挺;丁海舰;王敏锐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;C25D7/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 钎料键合热 应力 方法 封装 芯片 | ||
1.一种降低钎料键合热应力的方法，其特征在于所述方法包括：采用电镀的方法在芯片和基板上制作钎料，所使用的电镀液中添加有直径为0.01～10μm的微纳级导电不溶性颗粒；所述微纳级导电不溶性颗粒的热膨胀系数介于钎料与基体的热膨胀系数之间。
2.根据权利要求1所述的降低钎料键合热应力的方法，其特征在于：所述微纳级导电不溶性颗粒的颗粒形状为球形、椭球形或不规则形状。
3.根据权利要求1所述的降低钎料键合热应力的方法，其特征在于：所述电镀液中微纳级导电不溶性颗粒的溶解度小于或等于1g/L。
4.根据权利要求1所述的降低钎料键合热应力的方法，其特征在于：所述微纳级导电不溶性颗粒的电阻率小于或等于0.1Ω·m。
5.根据权利要求1所述的降低钎料键合热应力的方法，其特征在于：所述微纳级导电不溶性颗粒为碳化硅或银。
6.根据权利要求1所述的降低钎料键合热应力的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在进行电镀时，使微纳级导电不溶性颗粒于电镀液中均匀分布。
7.一种封装芯片，其中半导体芯片和基板间通过电镀的钎料进行键合，其特征在于：所述钎料中含有微纳级导电不溶性颗粒，所述微纳级导电不溶性颗粒的颗粒直径为0.01～10μm，并且所述微纳级导电不溶性颗粒的热膨胀系数介于钎料与基体的热膨胀系数之间。
8.根据权利要求7所述的封装芯片，其特征在于：所述微纳级导电不溶性颗粒的电阻率小于或等于0.1Ω·m。
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