[发明专利]基准电压产生装置有效
| 申请号： | 201410573195.9 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104571244B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 桥谷雅幸;广濑嘉胤 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基准电压产生装置，其特征在于，具有：
由第1导电型耗尽型MOS晶体管和第1导电型增强型MOS晶体管构成的基准电压产生电路；
包围所述基准电压产生电路的周边的电阻器；以及
恒流源以及与所述恒流源串联连接的二极管，
在环境温度低于设定温度的情况下，根据从所述二极管输出的电压，控制流过所述电阻器的电流。
2.根据权利要求1所述的基准电压产生装置，其特征在于：对于所述设定温度，所述恒流源能够修整。
3.根据权利要求1所述的基准电压产生装置，其特征在于：根据从所述二极管输出的电压，使所述电阻器的温度恒定，从而在恒定的设定温度环境下进行动作。
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