[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底表面形成衬垫层；

穿过衬垫层对衬底执行离子注入，在衬底表面上形成穿通阻挡层，衬垫层用于在离子注入过程中通过吸收、俘获机制而控制注入的掺杂剂的浓度分布；

去除衬垫层，暴露穿通阻挡层的表面；

在穿通阻挡层上外延生长半导体材料层；

在半导体材料层上形成掩膜图形；

利用掩膜图形依次刻蚀半导体材料层和穿通阻挡层，直至进入衬底中，在衬底上形成包含了半导体材料层和穿通阻挡层的多个鳍片；

在多个鳍片之间的衬底上形成浅沟槽隔离。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，采用低注入能量、高注入剂量的离子注入形成高掺杂、浅结深的穿通阻挡层。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，去除衬垫层之前进一步包括，采用高注入能量、低注入剂量的离子注入形成低掺杂、深结深的阱区。

4.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成掩膜图形的工艺为光刻/刻蚀工艺，或者侧墙转移工艺。

5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽隔离之后进一步包括，在多个鳍片顶部形成盖层。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，半导体材料层为一层或者多层，每一层材料选自II、III、IV、V、VI族半导体材料的一种或其组合。

7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，半导体材料层的材质为高迁移率材料或单晶硅。

8.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中，所述高迁移率材料为单晶锗、锗硅、III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体。

9.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，穿通阻挡层中含有的掺杂离子使其导电类型与将要形成的器件的源漏区离子类型相反。

10.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，浅沟槽隔离的顶部高于穿通阻挡层的底部，并且低于穿通阻挡层的顶部。