[发明专利]一种太空椒畸形果预防的新技术在审
申请号: | 201410570598.8 | 申请日: | 2014-10-24 |
公开(公告)号: | CN105580598A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 于辉 | 申请(专利权)人: | 于辉 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266232 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太空 畸形 预防 新技术 | ||
技术领域
本发明涉及蔬菜种植领域,具体的说是一种太空椒畸形果预防的新技术。
背景技术
目前在蔬菜大棚中种植太空椒,畸形果较多,植株上畸形果主要表现为果实个头小,果形扁圆,里面几乎无种子或种子发育,后随着生长果实颜色变黄并最终脱落,导致产量和品质下降,严重影响了种植户的增收。
发明内容
本发明为解决太空椒出现畸形果的技术问题,发明一种太空椒畸形果预防的新技术。
本发明为解决上述技术问题,所采取的技术方案,一种太空椒畸形果预防的新技术,其特殊之处是包括以下过程:
1、要注意控制温度。太空椒花期应注意避免大棚内的气温及地温过低,影响开花授粉坐果,尽可能将棚室温度白天控制25-28℃,夜间控制在13-18℃,为花器的发育创造有利环境条件。
2、要注意补肥。植株体内缺乏硼肥会导致开花坐果不良,容易出现畸形果,因此要在开花前后注意喷洒含有硼的叶面肥,如硼砂等。同时,太空椒进入结果期后,需求钾肥量加大,因而在施肥时一定要增加钾肥的使用,避免因钾肥供应不足出现畸形果。
3、注意控制植株长势。春季随着气温的升高,植株营养生长容易出现过旺,营养生长过剩,则生殖生长不足,易出现畸形果。若植株营养生长过旺,在合理调控棚室温湿度的前提下,可喷施助壮素750倍或矮壮素1500倍进行控制。
技术效果
本发明的技术效果是,采用上述技术方案,可以实现预防太空椒畸形果的成果,这种方式不仅便于操作,而且可以有效减少太空椒出现畸形果,对于太空椒高产有着很好效果。
具体实施方式
1、要注意控制温度。尽可能将棚室温度白天控制25-28℃,夜间控制在13-18℃,为花器的发育创造有利环境条件。
2、要注意补肥。在开花前后注意喷洒含有硼的叶面肥,如硼砂等,太空椒进入结果期后,需求钾肥量加大,因而在施肥时一定要增加钾肥的使用,避免因钾肥供应不足出现畸形果。
3、注意控制植株长势。若植株营养生长过旺,在合理调控棚室温湿度的前提下,可喷施助壮素750倍或矮壮素1500倍进行控制。
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