[发明专利]一种可自主堆叠连接的存储介质结构有效
申请号: | 201410569017.9 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN104317750B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 张云舟;张陌;张刚;张胜;常青;张博 | 申请(专利权)人: | 山西达鑫核科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自主 堆叠 连接 存储 介质 结构 | ||
1.一种可自主堆叠连接的存储介质结构,其特征在于:包括1个存储介质、1个访问控制器、1个存储介质控制接口、1个带有目的地址字段的访问消息帧;
存储介质与访问控制器连接;
访问控制器与存储介质控制接口连接;
访问控制器内设有1个可预设和修改的寄存器;寄存器的存储内容为:用于实现对堆叠连接在一起的多个不同存储介质进行区分辨别的存储介质的地址;
目的地址字段的存储内容为:访问消息帧企图访问的存储介质的地址;
访问控制器内设有1段语义流程;该语义流程的内容为:仅当目的地址字段的存储内容与寄存器的存储内容相同时,才允许访问消息帧访问存储介质。
2.根据权利要求1所述的可自主堆叠连接的存储介质结构,其特征在于:所述存储介质为DDR存储器;所述访问控制器为DDR访问控制器;所述存储介质控制接口为SDDR控制接口。
3.根据权利要求2所述的可自主堆叠连接的存储介质结构,其特征在于:所述DDR存储器为DDR存储器或DDR2存储器或DDR3存储器或DDR4存储器;所述DDR访问控制器为DDR访问控制器或DDR2访问控制器或DDR3访问控制器或DDR4访问控制器。
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