[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，具有一凹槽；

一条状叠层结构，形成于该凹槽内，该条状叠层结构包括：

多个导电条，各该导电条具有一水平导电段及二垂直导电段连接于对应的该水平导电段，该水平导电段的延伸方向平行于该凹槽的一底部，这些垂直导电段的延伸方向垂直于该凹槽的该底部；及

多个绝缘条，这些导电条与这些绝缘条是交错设置，各该绝缘条具有一水平绝缘段及二垂直绝缘段连接于对应的该水平绝缘段，这些垂直绝缘段的延伸方向平行于这些垂直导电段的延伸方向，且这些垂直绝缘段的一宽度大于对应的该水平绝缘段的一厚度；以及

至少一导电结构，电性连接于这些导电条的至少其中之一；

其中该条状叠层结构具有一水平叠层段对应这些水平导电段，该条状叠层结构具有二垂直叠层段对应这些垂直导电段，这些垂直叠层段的一宽度大于该水平叠层段的一厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导电结构电性连接于这些垂直导电段的至少其中之一。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中这些垂直导电段的一宽度大于对应的该水平导电段的一厚度，该水平导电段的该厚度为160～200埃。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该水平绝缘段的该厚度为160～200埃。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一介电结构形成于该基板上，其中该至少一导电结构形成于该介电结构中；以及

一刻蚀停止层，形成于该基板和该介电结构之间。

6.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板，包括形成一凹槽于该基板内；

形成一条状叠层结构于该凹槽内，包括：

形成多个导电条，各该导电条具有一水平导电段及二垂直导电段连接于对应的该水平导电段，该水平导电段的延伸方向平行于该凹槽的一底部，这些垂直导电段的延伸方向垂直于该凹槽的该底部；及

形成多个绝缘条，这些导电条与这些绝缘条是交错设置，各该绝缘条具有一水平绝缘段及二垂直绝缘段连接于对应的该水平绝缘段，这些垂直绝缘段的延伸方向平行于这些垂直导电段的延伸方向，且这些垂直绝缘段的一宽度大于对应的该水平绝缘段的一厚度；以及

形成至少一导电结构，其中该至少一导电结构电性连接于这些导电条的至少其中之一；

其中该条状叠层结构具有一水平叠层段对应这些水平导电段，该条状叠层结构具有二垂直叠层段对应这些垂直导电段，这些垂直叠层段的一宽度大于该水平叠层段的一厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中形成该条状叠层结构更包括：

形成二导电间隔层于该凹槽的二相对侧壁上；

形成一导电层于这些导电间隔层上及该凹槽的该底部；

形成一绝缘层于该导电层上；

形成二个该导电间隔层于该绝缘层上；以及

依序重复前述形成该导电层于这些导电间隔层上及该凹槽的该底部、形成该绝缘层于该导电层上、及形成二个该导电间隔层于该绝缘层上，以形成多个该导电层、多个该导电间隔层及多个该绝缘层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，更包括：

平坦化这些绝缘层及这些导电层，其中每二个该导电间隔层与平坦化后的每一个该导电层形成这些导电条其中之一，这些绝缘层平坦化后形成这些绝缘条，其中这些垂直导电段的一宽度大于对应的该水平导电段的一厚度。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中形成该条状叠层结构更包括：

形成一导电层于该凹槽内；

形成二绝缘间隔层于该导电层上对应于该凹槽的二相对侧壁处；

形成一绝缘层于这些绝缘间隔层上及该凹槽的该底部；

形成一个该导电层于该绝缘层上；以及

依序重复前述形成该二绝缘间隔层于该导电层上、形成该绝缘层于这些绝缘间隔层上及该凹槽的该底部、及形成一个该导电层于该绝缘层上，以形成多个该导电层、多个该绝缘间隔层及多个该绝缘层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，更包括：

平坦化这些绝缘层及这些导电层，其中每二个该绝缘间隔层与平坦化后的每一个该绝缘层形成这些绝缘条其中之一，这些导电层平坦化后形成这些导电条。