[发明专利]切割带集成晶片背面保护膜

说明书

本申请是申请日为2010年1月29日、申请号为2010101060336、发明名称为“切割带集成晶片背面保护膜”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及切割带集成晶片背面保护膜(dicing tape-integrated wafer back surface protective film)。切割带集成晶片背面保护膜用于保护芯片形工件(如半导体芯片)的背面和增强强度。此外，本发明涉及使用所述切割带集成晶片背面保护膜的半导体器件和生产所述器件的方法。

背景技术

最近，日益要求半导体器件及其包装的变薄和小型化。因此，作为半导体器件及其包装，已广泛利用以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式将半导体芯片(芯片形工件)固定至基板的那些(通过倒装芯片接合生产的半导体器件；可将其称为倒装芯片安装的半导体器件)。在该类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护，以防止损害半导体芯片(例如，参见专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

发明内容

然而，为保护半导体芯片背面，粘贴背面保护膜至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，因此步骤数量增加，成本等增加。此外，由于变薄，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导体芯片。因而，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。

考虑到前述问题，本发明的目的是提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的切割带集成晶片背面保护膜。此外，本发明的另一目的是提供切割带集成晶片背面保护膜，其在半导体芯片的切割步骤中能够显示优良的保持力，并能在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示标识性能和外观性。

作为为解决上述传统问题深入研究的结果，本发明人已发现，当将有色晶片背面保护膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上，从而以集成方式形成切割带和晶片背面保护膜时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤，均能够利用以集成方式形成切割带和晶片背面保护膜的层压体(切割带集成晶片背面保护膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示标识性能和外观性，由此完成本发明。

即，本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。

如上所述，由于本发明的切割带集成晶片背面保护膜以以下形式形成：晶片背面保护膜与包括基材和压敏粘合剂层的切割带集成，以及晶片背面保护膜是有色的，因此工件可通过在切割晶片(半导体晶片)时粘贴切割带集成晶片背面保护膜至工件(半导体晶片)来保持和有效地切割。此外，切割工件以形成芯片形工件(半导体芯片)后，通过与有色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件，能够容易地获得保护其背面的芯片形工件，并且还能够有效地改进芯片形工件背面的标识性能和外观性等。此外，由于有色晶片背面保护膜的弹性模量(23℃)为3GPa以上，因此即使当将已用晶片背面保护膜保护其背面的芯片形工件设置于支承体上直至拾取步骤后的倒装芯片接合步骤时，也能够抑制或防止芯片形工件通过有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。