[发明专利]具有带有永久磁体的磁传感器的装置

说明书

本发明公开了一种具有磁传感器的装置。所述装置包含具有装置层的衬底。磁传感器形成于装置层上并且包含第一永久磁体。所述第一永久磁体具有至少一个交替的铁磁(FM)层和反铁磁(AFM)层，其中缓冲层安置在FM层与AFM层之间。所述第一永久磁体在高于AFM层的阻挡温度的温度下在第一方向上被磁化。多个装置垫被耦接到磁传感器。集成电路衬底具有多个IC垫，其中所述多个装置垫在大于第一永久磁体的AFM层的阻挡温度的接合温度下选择性地共晶接合到所述多个IC垫。

相关申请的交叉引用

本申请是2014年1月7日提交的第14/149,779号美国专利申请的部分继续申请并且要求所述申请的优先权。本申请还是2013年10月31日提交的第61/898,377号美国临时申请的非临时申请并且要求所述申请的优先权。第14/149,779号美国专利申请以及第61/898,377号美国临时申请的内容以其全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体涉及具有带有永久磁体的磁传感器的装置，且更确切地说，涉及在不同方向上被磁化的永久磁体。

背景技术

磁传感器可以形成于半导体装置中。磁传感器可以包含一个或更多个永久磁体。如果准许永久磁体移动，那么永久磁体会在特定方向上被磁化，往往趋向与地球的磁级(即，地球的磁北极以及磁南极)对准。嵌入装置中的具有可移动永久磁体的磁传感器可以经配置以基于可移动永久磁体参照地球磁场的位置的改变来测量装置的取向的改变。

例如，为了参照给定的X轴线测量改变，优选地使永久磁体沿着Y轴线被磁化。另一方面，如果为了(例如)在正交于X轴线的方向上参照给定的Y轴线测量改变，那么优选地使永久磁体沿着X轴线被磁化。

一般来说，通过在所期望的方向上施加磁场而使永久磁体被磁化并且在给定的方向上被定向。内置有永久磁体以测量一个以上方向上的改变的磁传感器要求永久磁体在不同方向上被磁化。在一些示例中，这些磁传感器是装置的部分并且经进一步处理以形成这些装置。在进一步处理期间，具有永久磁体的磁传感器可能经受例如高温等外部影响。一旦形成装置，这些高温便可能影响磁传感器的性能。在一些示例中，可能需要将这些外部影响的效果降至最低。

本公开是考虑到这些需求而产生。已经提供此简要概述使得可以快速理解本公开的性质。参照结合附图进行的本公开的各种实施例的以下详细描述可以获得对本公开的更全面理解。

发明内容

在一个实施例中，公开了一种具有磁传感器的装置。所述装置包含具有装置层的衬底。磁传感器形成于装置层上并且包含第一永久磁体。第一永久磁体具有至少一个交替的铁磁(FM)层和反铁磁(AFM)层，其中在FM层与AFM层之间安置有缓冲层。第一永久磁体在高于AFM层的阻挡温度的温度下在第一方向上被磁化。多个装置垫被耦接到磁传感器。集成电路(IC)衬底具有多个IC垫，其中所述多个装置垫在高于第一永久磁体的AFM层的阻挡温度的接合温度下选择性地共晶接合到所述多个IC垫。

在又一实施例中，公开了一种用于提供具有磁传感器的装置的方法。所述装置包含具有装置层的衬底。磁传感器形成于装置层上并且包含第一永久磁体。第一永久磁体具有至少一交替的铁磁(FM)层和反铁磁(AFM)层，其中在FM层与AFM层之间安置有缓冲层。第一永久磁体在高于AFM层的阻挡温度的温度下在第一方向上被磁化。多个装置垫被耦接到磁传感器。集成电路衬底具有多个IC垫，其中所述多个装置垫在高于第一永久磁体的AFM层的阻挡温度的接合温度下选择性地共晶接合到所述多个IC 垫。

提供此简要概述使得可以快速理解本公开的性质。参照结合附图进行的本公开的优选实施例的以下详细描述可以获得对本公开的更全面理解。

附图说明

参照附图描述若干实施例的前述特征以及其它特征。在附图中，相同部件具有相同参考标号。所说明的实施例是用来说明而不是限制本发明。附图包含以下各图：