[发明专利]一种半导体桥多晶硅制备方法

权利要求书

1.一种半导体桥多晶硅制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；

利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；

以钛钨金为底金，进行电镀金；

去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；

将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。

2.根据权利要求1所述一种半导体桥多晶硅制备方法，其特征在于，所述采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜步骤的具体实现如下：

    采用低压力化学气相沉积法，在400～600℃温度条件下淀积多晶硅薄膜。

3.根据权利要求1所述一种半导体桥多晶硅制备方法，其特征在于，所述以钛钨金为底金，进行电镀金步骤的具体实现如下：

    以钛钨金为底金，进行电镀金，厚度为2～4μm。

4. 根据权利要求1所述一种半导体桥多晶硅制备方法，其特征在于，所述将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅步骤的具体实现如下：

将半导体多晶硅在氮气环境、400～550℃温度条件下退火20～60min得到半导体桥多晶硅。