[发明专利]防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。

LED产业常用的真空蒸镀属于物理气相沉积，物理气相沉积(PVD)是指在真空条件下，用物理的方法将材料汽化成原子、分子或电离成离子，并通过气相过程在衬底上沉积一层薄膜的技术。其基本过程为：1、通过蒸发、升华、溅射和分解等过程从原材料中发射粒子；2、粒子输运到基片。此过程中粒子间发生碰撞，产生离化、复合、反应，能量的交换和运动方向的变化；3、粒子在基片上凝结、成核、长大和成膜。因为芯片的温度远低于蒸发源的温度，因此粒子在基板表面将直接发生从气相到固相的相变过程。

另外，由于金属铝具有较高的反射率，和其它金属结合较牢靠，且价格便宜，为了减少金属电极对光的吸收，提高LED芯片的出光效率，现在的LED芯片电极中除了原有的黄金、铬等金属以外基本上都加入了金属铝。

目前，LED行业竞争激烈，为了节约成本，在不影响芯片性能的前提下，一些小功率芯片的电极可以将黄金用量减少，将铝用量增加，甚至有不含黄金的电极。但在用真空蒸镀金属铝时，铝膜容易产生一些较大的颗粒，即我们俗称的麻点(图1、图2)。麻点会影响芯片的外观，在封装时，麻点会影响机台的识别，导致焊线异常。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其能够有效解决铝膜生长产生麻点的问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于，包括：

将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N₁+N₂+…+N_n，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；

或

将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N₁+N₂+…+N_n，所述N₁＝N₂＝…＝N_n，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；

所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等；

所述蒸镀在压力小于3.0×10^-5Pa的真空条件下进行；

所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用的速率进行。

优选地，所述LED芯片电极为铬/铝/铬/铂/金组合的电极。

优选地，所述铬/铝/铬/铂/金组合的电极为：第一层铬、铝，第二层铬、铂、金。

优选地，在蒸镀完第一层铬之后，将铝膜进行分层蒸镀，每层蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕，接着再一次性蒸镀完第二层铬、铂和金。

优选地，所述铝膜的总厚度为

一种采用所述的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法制备的LED芯片电极。

本发明的有益效果为：

第一，操作性强，通过将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕，使得铝粒不会生长成较大的铝颗粒，经SEM和显微镜拍照几乎没有麻点

第二，可靠性高，在作业时间上本方法比现有方法只增加了30秒，对产能没有影响，经过对芯片电极的可靠性验证，证明本方法所蒸镀的电极与原方法所蒸镀的电极在可靠性上没有差异。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是现有技术的蒸镀方法的SEM示意图；

图2是现有技术的蒸镀方法的显微镜暗场示意图；

图3是本发明的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点方法的流程图；

图4是本发明的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法的SEM示意图；