[发明专利]一种微型钻头和微型钻头的制造方法在审
| 申请号: | 201410564087.5 | 申请日: | 2014-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN104384573A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
| 发明(设计)人: | 张贺勇;陈成;屈建国 | 申请(专利权)人: | 深圳市金洲精工科技股份有限公司 |
| 主分类号: | B23B51/00 | 分类号: | B23B51/00;H05K3/00;C23C14/06;C23C14/32;C23C14/35;B32B15/04;B32B9/00 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 田夏 |
| 地址: | 518116 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 微型 钻头 制造 方法 | ||
1.一种微型钻头,其特征在于,所述微型钻头包括涂层,所述涂层由内向外包括:
打底层,过渡层和核心层,其中,
打底层的材料为Me,
过渡层的材料为MeN,
核心层的材料为MeAlN,
所述Me为Ti、Cr、Zr、Hf或V中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的一种微型钻头,其特征在于,所述涂层包括覆盖在核心层上的顶层,所述顶层的材料为MeAlSiN。
3.根据权利要求1所述的一种微型钻头,其特征在于,所述Me为Ti。
4.根据权利要求3所述的一种微型钻头,其特征在于,所述核心层中,铝原子的原子百分比为0.45≤Al/(Al+Ti)≤0.70。
5.根据权利要求2所述的一种微型钻头,其特征在于,所述Me为Ti,所述顶层中,硅原子的原子百分比为0.03≤Si/(Al+Ti+Si)≤0.15。
6.根据权利要求2所述的一种微型钻头,其特征在于,所述打底层的厚度为10至100纳米,所述过渡层的厚度为80至300纳米,所述核心层的厚度为1.5至3微米,所述顶层的厚度为0.5至1.0微米。
7.一种微型钻头,其特征在于,所述微型钻头包括涂层,所述涂层由内向外包括:
打底层、过渡层、核心层和顶层,其中,
打底层的材料为Me,
过渡层的材料为MeN,
核心层的材料为MeAlN,
顶层的材料为MeAlSiN,
所述Me为Ti、Cr、Zr、Hf或V中的一种或几种。
8.一种如权利要求1所述的微型钻头的制造方法,其特征在于,包括以下步骤,
S1,清洗微型钻头的硬质合金基体;
S2,将清洗完成的微型钻头装入加热炉内,将炉内温度设定为300至500℃进行加热烘烤;
S3,开启金属Me靶弧电源,采用脉冲偏压增强的Me等离子体对微型钻头的硬质合金基体进行刻蚀,Me靶电流50至100A,脉冲负偏压峰值-800至-1000V,占空比10%至30%;
S4,采用电弧离子镀技术在硬质合金基体的表面沉积Me金属形成打底层,弧电流50至100A,脉冲偏压峰值-100至-300,占空比10%至30%;
S5,通入氩、氮气混合气体,采用电弧离子镀技术在所述打底层上面沉积MeN形成过渡层,所用靶材为纯金属Me靶材,氩气体流量15至30sccm,氮气流量45至100sccm,弧电流50至100A,脉冲偏压峰值-100至-300V,占空比30%至50%;
S6,采用直流磁控溅射技术在所述过渡层上沉积MeAlN形成核心层,Me靶电流5至10A,Al靶电流2.5至6.0A,离子源功率1.0至3.0Kw,氩气体流量15至30sccm,氮气气体流量65至100sccm,脉冲负偏压峰值-50至-200V,占空比30%至50%;
所述Me为Ti、Cr、Zr、Hf或V。
9.根据权利要求8所述的一种微型钻头的制造方法,其特征在于,在步骤S6完成后包括步骤S7,采用磁控溅射技术在所述核心层上沉积MeAlSiN形成顶层,Me靶电流5至10A,中频AlSi合金靶电流2.5至10.0A,离子源功率1.0至3.0Kw,氩、氮气气体流量保持不变,脉冲负偏压峰值-50至-200V,占空比30%至50%。
10.根据权利要求8所述的一种微型钻头的制造方法,其特征在于,所述Me为Ti。
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