[发明专利]一种CdTe薄膜太阳能电池板及制备方法

权利要求书

1.一种CdTe薄膜太阳能电池板，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在所述的玻璃基片(1)的复合面上由内到外依次相邻地复合有四个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为ZnO层(21)，第二膜层为CdS层(22)，第三膜层为CdTe层(23)，第四膜层为背电极层(24)。

2.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述的ZnO层(21)的厚度为500nm。

3.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第二膜层为CdS层(22)的厚度为50～100nm。

4.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第三膜层为CdTe层(23)的厚度为50～100nm。

5.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第四膜层为背电极层(24)包括铜层(241)和银层(242)。

6.根据权利要求5所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述铜层(241)的厚度为10nm，银层(242)的厚度为40nm。

7.一种制备权利要求1-6任意一项所述的CdTe薄膜太阳能电池板的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射ZnO层，用AZO作为靶材，交流溅射，用氩气作为溅射气体，掺杂少量比例的氧气，氩氧体积比为10:1，采用8个阴极，每个阴极溅射功率40KW，溅射生产速度2m/min；

(2)沉积CdS层，采用化学气相沉积法，采用“离子离子”模型制备；

(3)升华CdTe层，采用近空间升华法制备，将镀有ZnO和CdS的玻璃基片加热到680～700摄氏度，用氩气作为保护气体，利用高纯CdTe作为蒸发源，真空压力3x10^-2Pa，在700摄氏度下升华，沉积出CdTe产品薄膜，沉积速率50～160nm/s；

(4)用超声喷雾喷涂CdCl₂乙醇溶液，烘干，通入氧气，加热到380～420摄氏度，保持30～60分钟，用去离子水清洗CdTe膜面的CdCl₂残留物；

(5)沉积背电极层，用含0.1％溴的乙醇溶液刻蚀CdTe膜面，依次蒸发镀10nmCu和40nmAg，在N₂保护下于150度热处理90分钟，在过渡层制备完成后，利用蒸发沉积制备Ag/Cu作为背电极。

8.根据权利要求7所述的制备CdTe薄膜太阳能电池板的方法，其特征在于所述步骤(2)中膜层禁带宽度2.4eV，吸收率10⁴-10⁵cm^-1，用来作为n型窗口层掺杂，掺杂浓度10¹⁶个/cm³。