[发明专利]一种可钢化三银LOW-E玻璃及制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种镀膜玻璃，更具体地说是一种可钢化三银LOW-E玻璃，本发明还涉及一种玻璃的制备方法。

【背景技术】

玻璃是在当代的生产和生活中扮演着重要角色，建筑物的门窗汽车车窗和挡风玻璃等等许多地方都用到玻璃，给生产和生活带来了很多的方便。中性色玻璃需求量也很大，但现有的钢化玻璃阳光透过率低，反射率高，遮阳系数高，钢化后颜色偏差大。

【发明内容】

本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，反射率低，遮阳系数小，钢化后颜色偏差小的可钢化三银LOW-E玻璃。本发明还提供一种可钢化三银LOW-E玻璃的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种可钢化三银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有十四个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为Si₃N₄层21，第二膜层为TiO₂层22，第三膜层为NiCr层23，第四膜层为Ag层24，第五膜层为NiCr层25，第六层膜为TiO₂层26，第七膜层为Ag层27，第八膜层为NiCr层28，第九膜层为TiO₂层29，第十膜层为NiCr层210，第十一膜层为Ag层211，第十二膜层为NiCr层212，第十三膜层为TiO₂层213，第十四膜层即最外层为Si₃N₄层214。

如上所述的可钢化三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si₃N₄层21的厚度为20～35nm，最外层第十四膜层Si₃N₄层214的厚度为25～35nm。

如上所述的可钢化三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜层的TiO₂层22的厚度为10～15nm，第六层膜层TiO₂层26的厚度为60～80nm，第九膜层TiO₂层29的厚度为60～75nm，第十三膜层TiO₂层213的厚度为25～35nm。

如上所述的可钢化三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜层NiCr层23、第十二膜层NiCr层212的厚度均为1～2nm，第五膜层NiCr层25、第八膜层NiCr层28、第十膜层NiCr层210的厚度均为1～3nm。

如上所述的可钢化三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜层Ag层24、第七膜层为Ag层27、第十一膜层为Ag层211的厚度均为4～8nm。

一种制备上述的可钢化三银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％；

(2)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(4)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(5)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(6)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(7)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(8)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(9)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(10)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(11)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(12)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(13)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(14)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％。

与现有技术相比，本发明有如下优点：