[发明专利]一种非对称膜系双银LOW-E玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种非对称膜系双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，在所述的玻璃基片(1)的复合面上由内到外依次相邻地复合有十一个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为Bi₂O₃层(21)，第二膜层为TiO₂层(22)，第三膜层为NiCr_x层(23)，第四膜层为ZnO层(24)，第五膜层为Ag层(25)，第六层膜为CrNiO_y层(26)，第七膜层为TiO₂层(27)，第八膜层为AZO层(28)，第九膜层为Ag层(29)，第十膜层为CrNiO_y层(210)，第十一膜层即最外层为Si₃N₄O_y层(211)。

2.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Bi₂O₃层(21)的厚度为20～35nm。

3.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜层的TiO₂层(22)、第七膜层TiO₂层(27)的厚度均为25～35nm。

4.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜层NiCr_x层(23)的厚度为1～3nm。

5.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜层ZnO层(24)的厚度为8～12nm。

6.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜层Ag层(25)的厚度为5～8nm，所述第九膜层Ag层(29)的厚度为12～15nm。

7.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第六膜层CrN_xO_y层(26)的厚度为2～4nm、第十膜层CrNiO_y层(210)的厚度为1～3nm。

8.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第八膜层AZO层(28)的厚度为60～80nm。

9.根据权利要求1所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第十一膜层Si₃N₄O_y层(211)的厚度为25～35nm。

10.一种制备权利要求1-9任意一项所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Bi₂O₃层，用交流中频电源、氧气作反应气体溅射Bi靶，氩氧比为400SCCM～420SCCM：

450SCCM～500SCCM；

(2)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射NiCr_x层，用直流电源、用氮气做反应气体的金属溅射；

(4)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(5)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(6)磁控溅射CrN_xO_y层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体，渗少量氧气；

(7)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；AZO

(8)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷AZO靶；

(9)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(10)磁控溅射CrN_xO_y层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体，渗少量氧气；

(11)磁控溅射Si₃N₄O_y层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，渗入少量氧气。